[发明专利]一种TO46封装工艺方法

权利要求书

1.一种TO46封装工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

A、对晶圆进行划片，使晶圆分割成若干个芯片；

B、将用于安装芯片的管座放入无水乙醇中进行超声波清洗；

C、将管座取出烘干；

D、将芯片放置在管座的芯片安装区域中进行贴片；

E、对芯片和管座进行固化处理；

F、将管座进行等离子微波清洗；

G、利用焊接工艺将金线焊接在芯片端子和管座的引脚之间；

H、封帽；

I、对封装好的器件进行测试。

2.如权利要求1所述的一种TO46封装工艺方法，其特征在于：所述步骤B中超声波清洗的方法为：

B1、将管座按一个LOT放入放置有浓度为99.7％无水乙醇的超声波槽内，无水乙醇将管座浸没；

B2、打开超声波，设置超声功率为2kW，频率为40kHz，清洗时间60分钟；

B3、清洗完后取出沥干。

3.如权利要求2所述的一种TO46封装工艺方法，其特征在于：所述步骤C中的烘干温度为100-110℃，烘烤时间为1个小时后降至常温后取出。

4.如权利要求3所述的一种TO46封装工艺方法，其特征在于：所述步骤F等离子微波清洗的具体方式为：将管座放入真空腔体里，通过射频电源在10-12Pa的真空压力下，通入氩气和氧气电离产生等离子体轰击管座表面，最后污染物由抽真空装置抽走。

5.如权利要求4所述的一种TO46封装工艺方法，其特征在于：所述步骤F等离子微波清洗的具体步骤为：

F1、将管座放入等离子微波清洗机内，持续抽真空，等待真空至10Pa,通入氩气100-120sccm后打开高频电源，功率设置为200-230W，清洗时间为45秒；

F2、45秒后停止15秒，通入氧气100-120sccm后开高频电源，功率设置为200-240W，清洗时间为45秒；

F3、清洗完成后将管座取出。