[发明专利]一种显示模组、显示装置以及制作方法有效
申请号: | 202011319804.X | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112448159B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 李岢恒;杨鸣;冮明琪;秦少杰;王伟;王森 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/307;H01Q1/22;G09F9/30 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张帆 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 模组 显示装置 以及 制作方法 | ||
1.一种显示模组,其特征在于,包括:
显示面板;和
天线,包括设置在所述显示面板的出光侧的辐射层,所述辐射层包括面积可调的天线电极,用于构造具有不同中心频率的天线;
所述辐射层包括中心电极、辐射地和至少一个电极扩展单元,所述电极扩展单元包括半导体沟道和扩展电极,其中
所述半导体沟道,设置在所述中心电极和扩展电极之间,
响应于所述半导体沟道的导通状态电连接所述中心电极和扩展电极以形成包括中心电极和扩展电极的天线电极,或者
响应于所述半导体沟道的断开状态形成仅包括中心电极的天线电极。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述辐射层包括N个电极扩展单元,N大于等于1,其中
第一个电极扩展单元环绕所述中心电极,所述第一个电极扩展单元的第一半导体沟道环绕所述中心电极,所述第一个电极扩展单元的第一扩展电极环绕所述第一半导体沟道;
第n个电极扩展单元环绕第n-1个电极扩展单元,所述第n个电极扩展单元的第n半导体沟道环绕所述第n-1个电极扩展单元的第n-1扩展电极,所述第n个电极扩展单元的第n扩展电极环绕所述第n半导体沟道,其中,n大于1并且小于等于N。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,各电极扩展单元的半导体沟道在所述显示面板的衬底上的正投影的中心点与所述中心电极在所述衬底上的正投影的中心点重合,各电极扩展单元的扩展电极在所述显示面板的衬底上的正投影的中心点与所述中心电极在所述衬底上的正投影的中心点重合。
4.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示面板包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、器件层和第一封装层,所述天线包括:
设置在所述器件层远离出光侧的天线地层;
设置在所述第一封装层上的第一介质层;
设置在所述第一介质层上的所述辐射层;
设置在所述辐射层的半导体沟道上的第二介质层;
设置在所述第二介质层上的开关电极;
覆盖所述开关电极、露出的第二介质层和露出的辐射层的第二封装层。
5.根据权利要求4所述的显示模组,其特征在于,
所述天线地层位于所述衬底远离出光侧的一层;
或者
所述驱动电路层包括多个膜层,所述天线地层位于所述多个膜层中。
6.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述显示面板包括阵列排布的像素和界定各像素的像素界定层,所述天线电极为网格化金属电极,所述像素界定层在衬底上的正投影覆盖所述网格化金属电极在所述显示面板的衬底上的正投影。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的显示模组,其特征在于,所述天线为微带贴片天线,所述天线电极为透明电极。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的显示模组。
9.一种制作如权利要求1-7中任一项所述的显示模组的方法,其特征在于,包括:
形成显示面板;
在所述显示面板的出光侧形成天线的辐射层,所述辐射层的天线电极的面积可调。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述显示面板的出光侧形成天线的辐射层进一步包括:
分别形成中心电极、辐射地和至少一个电极扩展单元,所述电极扩展单元包括半导体沟道和扩展电极,其中,所述半导体沟道设置在所述中心电极和扩展电极之间,响应于所述半导体沟道的导通状态电连接所述中心电极和扩展电极以形成包括中心电极和扩展电极的天线电极,或者响应于所述半导体沟道的断开状态形成仅包括中心电极的天线电极。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述形成显示面板进一步包括:
在衬底上形成驱动电路层;
在所述驱动电路层上形成器件层;
在所述器件层上形成第一封装层;
在所述驱动电路层上形成器件层之前,所述方法还包括:形成天线地层;
在所述器件层上形成第一封装层之后,所述方法还包括:
在所述第一封装层上形成第一介质层;
在所述第一介质层上形成所述辐射层;
在所述辐射层的半导体沟道上形成第二介质层;
在所述第二介质层上形成开关电极;
形成覆盖所述开关电极、露出的第二介质层和露出的辐射层的第二封装层。
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