[发明专利]基于谐振体通孔调节频率的MEMS压电谐振器

权利要求书

1.基于谐振体通孔调节频率的MEMS压电谐振器，其特征在于，包括：

谐振体振动块，其包括单晶硅层、覆盖在所述单晶硅层一侧表面的氮化铝压电层及位于谐振体振动块两端、且贯穿单晶硅层和氮化铝压电层的多个通孔；

两个支撑台，每个支撑台通过一条支撑梁连接在谐振体振动块长度方向的侧面上，支撑台和支撑梁上均覆盖有氮化铝压电层；

谐振体振动块上的氮化铝压电层通过支撑梁上的氮化铝压电层与对应支撑台上的氮化铝压电层电气连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于：所述谐振体振动块的有效长度L_eff为：

其中，L_eff为谐振体振动块的有效长度；L为谐振体振动块的实际长度；R_x为通孔的尺寸；d₁为通孔距离谐振体振动块宽度方向端面的距离；N为通孔的总数量；d₂为通孔间的间距；d₃为最边缘通孔距离谐振体振动块长度方向端面的距离；η为机械能束缚效率，取值范围为[0,1]。

3.根据权利要求1所述的MEMS压电谐振器，其特征在于：所述通孔为圆形、方形或十字形。

4.根据权利要求3所述的MEMS压电谐振器，其特征在于：所述通孔的数量为偶数，且谐振体振动块两端的通孔对称。

5.根据权利要求3所述的MEMS压电谐振器，其特征在于：所述通孔的数量为奇数，且谐振体振动块两端的通孔不对称。

6.根据权利要求1-5任一所述的MEMS压电谐振器，其特征在于：所述MEMS压电谐振器使用S0模式，传输纵波分量，其空间分布为水平位移分量沿谐振体振动块长度方向分布。