[发明专利]一种可选择性响应的形状记忆聚合物结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011320479.9 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112500668B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 黄舒;单铭远;张航;盛杰;魏洁安;周建忠;周双流;徐玮 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C08L51/00 | 分类号： | C08L51/00;C08L83/04;C08K3/04;C08K3/22;C08F289/00;C08F220/06;B33Y70/00;B33Y80/00;B29C61/06;B29C64/10;B29C69/02 |
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| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 响应 形状 记忆 聚合物 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
用80％环氧大豆油丙烯酸酯和20％甲基丙烯酸共混的形状记忆聚合物制作具有若干空腔的本体结构；
在本体结构的空腔内填充纳米粒子溶液，所述纳米粒子溶液在外部激励作用下可生热；所述纳米粒子溶液为碳纳米管溶液或磁流体；
将填充纳米粒子溶液的本体结构加热，通过外力使本体结构变形；将变形后的本体结构冷却定形，定形后的本体结构在外部激励作用下可恢复到外力变形前的本体结构。
2.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，通过光固化3D打印制作具有若干空腔的本体结构。
3.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，任一所述空腔内填充的纳米粒子溶液溶度不同，使定形后的本体结构在外部激励作用下可按溶度大小不同控制恢复速度。
4.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，若干所述空腔内填充的纳米粒子溶液全部为碳纳米管溶液，通过射频电场作用下生热。
5.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，若干所述空腔内填充的纳米粒子溶液全部为磁流体，通过交变磁场作用下生热。
6.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，一部分所述空腔内填充的纳米粒子溶液为磁流体，另一部分所述空腔内填充的纳米粒子溶液为碳纳米管溶液，实现定形后的本体结构在射频电场或交变磁场下选择性恢复。
7.根据权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法，其特征在于，所述空腔的厚度与本体结构的厚度比例为1:2～1:4。
8.一种利用权利要求1所述的可选择性响应的形状记忆聚合物结构的制备方法制备的可选择性响应的形状记忆聚合物结构，其特征在于，包括本体结构和纳米粒子溶液，所述本体结构内设有若干空腔，所述空腔内填充纳米粒子溶液。
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