[发明专利]一种自清洁减反射薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：取清洗干净的玻璃基体，置于磁控溅射装置的腔室内，采用金属靶和二氧化硅靶共溅射，在玻璃基体上沉积金属颗粒和二氧化硅混合物薄膜；

步骤二：将沉积结束的玻璃基体浸入去金属溶液中，超声振荡0.5-1h，进行湿法刻蚀，获得二氧化硅薄膜；

步骤三：将去金属后的玻璃基体用流动水清洗干净，再浸入稀盐酸溶液中去除多余的碱液；

步骤四：将中和清洗后的玻璃基体取出，并采用流动水冲洗干净，表面吹干，置于退火炉中300-500℃退火1-2h，使二氧化硅薄膜结晶，最终在玻璃基体上得到具有孔洞结构的二氧化硅结晶态薄膜；

所述去金属溶液的配制方法为：在100mL 5-30%浓度氨水中加入30mL 5-30%浓度的双氧水，再用200mL超纯水稀释，在稀释后的溶液中加入多种表面活性剂，多种表面活性剂包括1-10g月桂醇硫酸钠、1-5g甘胆酸钠、1-4.5g二辛基琥珀酸磺酸钠、5-50mL椰油酸二乙醇酰胺和1-5g聚氧乙烯羊毛脂，加热20-50℃下搅拌均匀直至充分溶解形成均质溶液；

所述金属靶的材质包括铜、银、镍、金、铁、锡或铝。

2.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属靶的功率为70W~20W，所述二氧化硅靶的功率为50-150W，所得混合物薄膜厚度为50nm。

3.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属靶的功率为70W~20W，所述二氧化硅靶的功率为50-150W，溅射过程中金属靶的功率每2min增加10W，所得混合物薄膜厚度为126nm。

4.根据权利要求3所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述混合物薄膜中金属颗粒含量由玻璃基体表面至混合物薄膜外表面逐渐增高。

5.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述表面吹干为表面采用氮气吹干。

6.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述稀盐酸溶液的浓度为2~5%。

7.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅结晶态薄膜的折射率为1.21~1.32，与水滴的接触角为137°~141°。

8.根据权利要求1所述的一种自清洁减反射薄膜的制备方法，其特征在于：所述玻璃基体包括超白浮法玻璃、钠钙玻璃、石英玻璃或硅片。