[发明专利]一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜，其特征在于，包括基材、金属层和防护层，其中所述基材为聚芳噁二唑纤维纸，喷涂高导电率的金属或合金形成金属层，将有机硅牢固附着于所述金属层上的防护层，所述金属层位于所述基材和所述防护层之间。

2.根据权利要求1所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜，其特征在于，所述基材选自对位聚苯噁二唑纤维和间位聚苯噁二唑纤维。

3.根据权利要求1所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜，其特征在于，所述金属层由里至外依次包括金属处理层、中间加厚层和金属外层，其中所述金属处理层喷镀于所述基材上。

4.根据权利要求3所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜，其特征在于，所述金属处理层选自金、银、铜或其合金，所述中间加厚层选自铜及其合金，所述金属外层选自镍及其合金。

5.一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤:

步骤一、将基材依次就进行干燥处理和金属化处理，得到聚芳噁二唑金属化薄膜；

步骤二、进行电镀金属加厚防护处理，得到聚芳噁二唑薄膜；

步骤三、进行有机硅封闭保护，得到聚芳噁二唑屏蔽薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法的步骤一中，干燥处理时温度为105℃，时间为24-28h，采用真空磁控溅射技术进行金属化处理，将聚芳噁二唑纤维纸作为所述基材从喷镀炉的一端进、一端出，匀度通过真空炉，选用金、银、铜或其合金作为喷镀材料，将所述喷镀材料双面喷镀至所述基材上，形成金属处理层，得到聚芳噁二唑金属化薄膜，其中电流为2-10A，真空度为1.0-10pa，速度为1-2.5m/min，靶出水温度小于25℃，放卷张力为25-75N，收卷张力为25-75N，导电率为0.01Ω-3.0Ω。

7.根据权利要求5所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法的步骤二具体为：将所述聚芳噁二唑金属化薄膜先进行酸清洗，依次进行第一次双水洗、第一次浸酸和电镀铜形成中间加厚层，再依次进行第二次双水洗、第二次浸酸和电镀镍形成金属外层，最后进行第三次双水洗并烘干得到聚芳噁二唑薄膜。

8.根据权利要求7所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，将所述聚芳噁二唑金属化薄膜进行酸清洗前先采用浓度为4％-6％的酸性清洁剂在温度为30-40℃条件下处理4-6min，进行酸清洗时选用浓度为5％-10％的硫酸、温度为20-40℃、时间为0.5-2min。

9.根据权利要求7所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，电镀铜时的条件为：硫酸铜150-200g/L、硫酸47-65g/L、添加剂0.5-2mL/L、阴极电流密度为0.5-1.5A/dm²、温度为15-25℃，电镀铜时的条件为：硫酸镍280-320g/L、氯化镍40-45f/L、温度40-50℃、PH值4-5、阴极电流密度3-3.5A/sm²、时间10-15min。

10.根据权利要求5所述的一种聚芳噁二唑屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法的步骤三具体为：将所述聚芳噁二唑薄膜在常温条件下匀度浸途通过有机硅溶液，其车速为1-3m/min，再匀速通过三个不同温度的烘道烘干，其车速为3-10m/min，得到聚芳噁二唑屏蔽薄膜，其中第一烘道温度为50-70℃，第二烘道温度为70-90℃，第三烘道温度为90-100℃。