[发明专利]一种光学硅胶带及其制备方法在审
| 申请号： | 202011321883.8 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112341946A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 东莞晶邦光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09J7/25 | 分类号： | C09J7/25;C09J7/30;C09J183/06;C09J183/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达;王滔 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 硅胶 及其 制备 方法 | ||
1.一种光学硅胶带，其特征在于，包括依次层叠的轻剥离离型膜层、第一光学胶层、基材层、第二光学胶层和重剥离离型膜层；所述第一光学胶层靠近所述轻剥离离型膜层的表面为网格状结构，和/或所述第二光学胶层靠近所述重剥离离型膜层的表面为网格状结构。
2.根据权利要求1所述的光学硅胶带，其特征在于，所述第一光学胶层和所述第二光学胶层均包括25～75％的聚硅氧烷、2～25％的有机硅树脂、0～45％的硅烷偶联剂和0.2～6.5％的光引发剂。
3.根据权利要求2所述的光学硅胶带，其特征在于，所述聚硅氧烷包括丙烯酸酯封端的聚硅氧烷，所述有机硅树脂包括MQ硅树脂，所述硅烷偶联剂包括含有甲基丙烯酰氧基丙基的硅烷偶联剂。
4.根据权利要求2所述的光学硅胶带，其特征在于，还包括0～7％的氧清除剂。
5.根据权利要求1所述的光学硅胶带，其特征在于，所述第一光学胶层和所述第二光学胶层的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的光学硅胶带，其特征在于，所述网格状结构均设置为纳米网格状。
7.根据权利要求1所述的光学硅胶带，其特征在于，所述基材层为PET层，所述PET表面达因值大于36，透光率大于95％。
8.根据权利要求1所述的光学硅胶带，其特征在于，所述轻剥离离型膜层和所述重剥离离型膜层均包括PET基膜层。
9.一种权利要求1～8任一项所述的光学硅胶带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
用氢氟酸腐蚀轻剥离离型膜和/或用氢氟酸腐蚀重剥离离型膜的至少一表面，得到具有网格状结构的轻剥离离型膜和具有网格状结构的重剥离离型膜；
将光学胶涂覆于基材层的表面，得到第一光学胶层和第二光学胶层；
将所述轻剥离离型膜具有网格状结构的一面与所述第一光学胶层贴覆，将所述重剥离离型膜具有网格状结构的一面与所述第二光学胶层贴覆，得到光学硅胶带。
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