[发明专利]微型LED及其制程方法

权利要求书

1.一种微型LED的制程方法，包括：

在衬底上生长外延片，在所述外延片上生长电流扩散层，并在所述电流扩散层上设置光阻层；

将第一光线经过第一光罩照射在所述光阻层上，其中，所述第一光线经过第一光罩产生衍射并在所述光阻层上产生泊松亮斑，所述泊松亮斑落入所述光阻层的区域为第一区域，所述光阻层的位于所述第一光罩在所述光阻层的正投影以外的区域为第二区域，其中，所述光阻层的所述第一区域受到的所述第一光线的曝光量小于所述第二区域受到的所述第一光线的曝光量；

对所述光阻层进行显影，使得所述第一区域的部分厚度的所述光阻层被显影液溶解，所述第二区域的全部厚度的所述光阻层被所述显影液溶解；

再对所述电流扩散层和所述外延片进行蚀刻，对所述外延片与所述第一区域相对应的部分向下刻蚀至所述外延片的N-GaN层，对所述外延片与第二区域相应的部分向下刻蚀至所述衬底；以及

将所述光阻层去除，并在蚀刻后的所述电流扩散层和所述外延片上设置金属电极。

2.根据权利要求1所述的微型LED的制程方法，其中，所述将所述光阻层去除，并在蚀刻后的所述电流扩散层和所述外延片上设置金属电极包括：

将所述光阻层去除，在所述衬底、所述电流扩散层、以及所述外延片上设置钝化层，并对所述钝化层进行蚀刻使得所述电流扩散层部分外露并且使得所述外延片部分外露；以及

分别在所述电流扩散层的外露部分和所述外延片的外露部分上设置金属电极。

3.根据权利要求1所述的微型LED的制程方法，其中，所述光阻层的所述第一区域在显影后形成圆孔，所述圆孔的直径和深度根据所述第一光线的曝光间隙和曝光量确定。

4.根据权利要求1所述的微型LED的制程方法，其中，对所述电流扩散层和所述外延片进行蚀刻包括：

将所述电流扩散层与所述第一区域相对应的部分蚀刻，并将所述外延片与所述第一区域和所述第二区域相对应的部分蚀刻。

5.根据权利要求2所述的微型LED的制程方法，其中，在所述衬底、所述电流扩散层、以及所述外延片上设置所述钝化层，并对所述钝化层进行蚀刻使得所述电流扩散层的部分外露并且所述外延片的部分外露包括：

在所述衬底、所述外延片、以及所述电流扩散层外露的表面上沉积钝化层，并在所述钝化层上设置正胶层；

将第二光线经过第二光罩照射在所述正胶层上，并且将所述正胶层的与所述电流扩散层相对应的第三区域显影，以及将所述正胶层的与所述第一区域相对应的第四区域显影；

将所述钝化层与所述第三区域相对应的部分蚀刻，并将所述钝化层与所述第四区域相对应的部分蚀刻，使得所述电流扩散层的与所述第三区域相对应的部分外露并使得所述外延片的与所述第四区域相对应的部分外露。

6.根据权利要求5所述的微型LED的制程方法，其中，所述第二光线为紫外光。

7.根据权利要求5所述的微型LED的制程方法，其中，所述第三区域的正投影落入蚀刻后的所述电流扩散层的范围内，且所述第四区域的正投影落入所述第一区域的范围内。

8.根据权利要求2所述的微型LED的制程方法，其中，分别在所述电流扩散层的外露部分和所述外延片的外露部分上设置所述金属电极包括：

在所述钝化层、所述电流扩散层的外露部分、以及所述外延片的外露部分上设置负胶层；

将第三光线经过第三光罩照射在所述负胶层上，并对所述负胶层进行显影，使得所述电流扩散层的所述外露部分、以及所述外延片的所述外露部分保持外露；

分别在所述电流扩散层的所述外露部分、所述外延片的所述外露部分上设置金属电极；以及

将所有的所述负胶层去除。

9.根据权利要求8所述的微型LED的制程方法，其中，所述第一光线和所述第三光线为紫外光。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的微型LED的制程方法，其中，所述外延片是氮化镓GaN外延片，所述电流扩散层是氧化铟锡ITO层。

11.一种微型LED，其特征在于，包括根据权利要求1至10中任一项所述制程方法制得的所述微型LED。