[发明专利]具有TiO2 有效
| 申请号： | 202011323953.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112436148B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李婷;冯苏宁;刘芳;李辉;顾华清 | 申请（专利权）人： | 溧阳紫宸新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/48;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 213300 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 tio base sub | ||
1.一种具有TiO2/C复合包覆层的介孔氧化亚硅负极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在保护气氛中对SiO原料进行歧化反应，得到歧化后的硅氧化物，歧化温度950℃～1200℃，歧化时间1小时～10小时；
将歧化后的硅氧化物，用氢氟酸进行刻蚀，制备得到多孔SiOx，0X2；
按照所需用量将钛源加入溶剂，充分搅拌溶解形成钛酸；
按比例在所述钛酸中加入所述多孔SiOx，搅拌混合后进行喷雾干燥，得到复合粉体；
将所述复合粉体在保护气氛下通入碳源进行化学气相淀积CVD，对所述复合粉体进行包碳处理，得到具有TiO2/C复合包覆层的介孔氧化亚硅负极材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述SiO原料为微米级氧化亚硅；
所述保护气氛为N2气氛或惰性气氛。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述微米级氧化亚硅的D50＜10μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氢氟酸浓度5wt％-55wt％，刻蚀时间为1～6小时，所述硅氧化物与氢氟酸的质量比为1：2～1：6。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多孔SiOx的孔为介孔；所述多孔SiOx的孔径平均直径为15nm至50nm；所述多孔SiOx的平均粒径D50为1μm～10μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钛源为钛酸四丁酯，所述溶剂为酒精；所述钛源对应TiO2的质量与所述多孔SiOx的质量比例为100：0.5～2。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳源为烷类气体、炔类气体、丙酮、天然气和液化石油气中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述喷雾干燥的进风温度为180℃～210℃，排风温度为110℃～150℃。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述包碳处理的温度为500℃-900℃，保温时间为2-6小时。
10.一种上述权利要求1-9任一所述方法制备的具有TiO2/C复合包覆层的介孔氧化亚硅负极材料。
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