[发明专利]一种自驱动MSM紫外探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011324348.8 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN114530519A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 郭炜;国琛雨;陈荔;叶继春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 藏斌 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 msm 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种自驱动MSM紫外探测器,包括:
衬底;
设置在所述衬底表面的图形化低温结晶层,所述图形化低温结晶层的材料为纤锌矿结构的氮化物,所述图形化低温结晶层的形成温度为300~950℃;
设置在所述图形化低温结晶层表面和衬底表面未覆盖图形化低温结晶层区域的高温外延层,所述高温外延层的材料为纤锌矿结构的氮化物,所述高温外延层的形成温度为1000~1200℃;设置于所述图形化低温结晶层上的高温外延层为金属极性,设置于所述衬底表面未覆盖图形化低温结晶层区域上的高温外延层为氮极性;
设置在所述高温外延层上的插指电极;所述插指电极由两组电极组成,一组电极设置于所述高温外延层的金属极性区域,另一组电极设置于所述高温外延层的氮极性区域。
2.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述图形化低温结晶层的材料为AlN或GaN。
4.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述图形化低温结晶层的厚度为10~100nm。
5.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述高温外延层为单层结构或异质结结构;
所述高温外延层的材料选择GaN、AlN和AlxGa1-xN中的一种或多种,0<x<1。
6.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述高温外延层的厚度为100nm~10μm。
7.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述插指电极为欧姆电极或肖特基电极。
8.根据权利要求1所述的自驱动MSM紫外探测器,其特征在于,所述插指电极的材料选择Ti、V、Al、Ni、Pt和Au中的一种或多种。
9.一种自驱动MSM紫外探测器的制备方法,包括以下步骤:
a)在衬底表面沉积低温结晶层原料,得到低温结晶层;
所述低温结晶层的材料为纤锌矿结构的氮化物;所述沉积的温度为300~950℃;
b)对所述低温结晶层进行图形化处理,得到表面设置有图形化低温结晶层的衬底;
c)对步骤b)得到的衬底表面进行高温外延生长,得到高温外延层;
所述高温外延层的材料为纤锌矿结构的氮化物,所述高温外延生长的温度为1000~1200℃;
在所述图形化低温结晶层上外延得到的高温外延层为金属极性,在所述衬底表面未覆盖图形化低温结晶层区域上外延得到的高温外延层为氮极性;
d)在所述高温外延层上沉积插指电极,得到自驱动MSM紫外探测器;
所述插指电极由两组电极组成,一组电极沉积于所述高温外延层的金属极性区域,另一组电极沉积于所述高温外延层的氮极性区域。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括:对步骤d)得到的制品进行退火处理;
所述退火处理的温度为300~800℃;所述退火处理的时间为30s~10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的