[发明专利]小型化大功率隔离型合成网络装置及实现方法在审
申请号: | 202011324852.8 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112133994A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 商桂川;宋垚 | 申请(专利权)人: | 四川斯艾普电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00;H01P1/213 |
代理公司: | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人: | 曹宇杰 |
地址: | 610000 四川省成都市成华区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 小型化 大功率 隔离 合成 网络 装置 实现 方法 | ||
小型化大功率隔离型合成网络装置及实现方法,方法包括:提供一下腔和一上腔;对下腔和上腔相对的一面均进行铣削加工,使相对一面形成第一垂直通道I~IV、第一水平通道I~IV、第二垂直通道I、第二垂直通道II、第二水平通道I、II、第三垂直通道,并设置E臂隔片结构,使下腔和上腔的长度方向一侧形成E臂分支波导口I~IV、另一侧形成E臂波导口;E臂分支波导口沿一条直线等间隔设置;装配下腔和一上腔,获得小型化大功率隔离型合成网络。腔体通过一次铣削加工形成,通过各通道、E臂隔片结构、微带探针以及负载电阻等实现同一平面四端口的网络合成,保证多支路幅相一致性及良好隔离度,体积小、频带宽、插入损耗低。
技术领域
本发明属于通信领域,涉及波导合成/微波功分技术,尤其与一种小型化大功率隔离型合成网络装置及实现方法有关。
背景技术
波导合成用于将多路功率进行功率合成,以获得更大的功率。合成网络的性能如插损、隔离度、相位平衡度和幅度平衡度等指标将对整个系统的性能产生较大的影响。常规的T型结为三端口网络,级间无隔离,在进行功率合成时,级间影响较大;目前的四端口合成网络结构及实现方法通常采用包括E臂、H臂、分支波导及匹配结构等方式来实现,结构复杂,多支路的幅相一致性不理想,且并没有考虑到隔离度的情况。
发明内容
为解决上述相关现有技术不足,本发明提供一种小型化大功率隔离型合成网络装置及实现方法,通过一次铣削加工形成的上腔和下腔,装配后形成波导口和内部通道,并通过标准波导口之间设计,结合微带探针以及负载电阻等实现处于同一平面的四端口的网络合成,并保证多支路的幅相一致性以及良好的隔离度,把多路的功率进行功率合成,以获得更大的功率,体积小、频带宽、插入损耗低、易加工。
为了实现本发明的目的,拟采用以下方案:
小型化大功率隔离型合成网络装置的实现方法,包括步骤:
步骤S1:提供一下腔和一上腔;
步骤S2:对下腔和上腔相对的一面均进行铣削加工,包括:
在相对的一面的对应位置均加工出:第一垂直通道I号、第一垂直通道II号、第一垂直通道III号、第一垂直通道IV号、第一水平通道I号、第一水平通道II号、第一水平通道III号、第一水平通道IV号、第二垂直通道I号、第二垂直通道II号、第二水平通道I号、第二水平通道II号、第三垂直通道;
将第一垂直通道I号、第一垂直通道II号、第一垂直通道III号、第一垂直通道IV号一端均向外延伸加工并贯通下腔和上腔长度方向的一侧壁,在该侧壁处分别对应形成沿一条直线等间隔设置的E臂分支波导口I号、E臂分支波导口II号、E臂分支波导口III号、E臂分支波导口IV号;
将第一垂直通道I号另一端与第一水平通道I号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;将第一垂直通道II号另一端与第一水平通道II号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;将第一垂直通道III号另一端与第一水平通道III号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;将第一垂直通道IV号另一端与第一水平通道IV号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;
将第一水平通道I号另一端和第一水平通道II号另一端相向延伸并打通,并在打通处设置一E臂隔片结构,并将该打通处与第二垂直通道I号一端也打通;将第一水平通道III号另一端和第一水平通道IV号另一端相向延伸并打通,并在打通处设置一E臂隔片结构,并将该打通处与第二垂直通道II号一端也打通;
将第二垂直通道I号另一端与第二水平通道I号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;将第二垂直通道II号另一端与第二水平通道II号一端打通,并在打通处加工出一个转向切角;
将第二水平通道I号另一端和第二水平通道II号另一端相向延伸并打通,并在打通处设置一E臂隔片结构,并将该打通处与第三垂直通道一端也打通;
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