[发明专利]一种铟氧簇合物及其制备方法、由其制备的量子点及该量子点的制备方法

说明书

本申请提供一种铟氧簇合物及其制备方法、由其制备的量子点及该量子点的制备方法，铟氧簇合物的分子式为R(In_xO)_y，其中，R选自取代或未取代的脂肪族基团，0＜x＜1，0＜y＜1，采用本申请的铟氧簇合物制备的量子点不仅可以获得较宽的发射峰波长，还能获得较低的半峰宽。

技术领域

本申请属于纳米材料领域，具体涉及一种铟氧簇合物及其制备方法、由其制备的量子点及该量子点的制备方法。

背景技术

随着量子点合成技术的进步以及量子点在相关领域应用的深入，量子点自身的毒性以及对环境产生的影响受到越来越多人的关注。传统的II-VI族量子点如CdTe、CdSe等虽然其技术发展己经比较成熟，但含有镉这一有毒元素的固有缺点，将极大地限制其未来的应用。例如，危害性物质限制指令(Restriction of Hazardous Substances,RoHS)已将镉视为最危险的有毒重金属，欧盟规定自2019年10月起，在欧洲销售的电视机与显示器，将禁止使用RoHS指令中限制的有害物质镉。除了RoHS指令，其他国际标准也纷纷加入抗镉行列，如IEEE 1680标准将产品中镉含量限制在100ppm以下。与之相比，III-V族量子点具有较低的毒性，其中尤其以InP量子点最为突出(不含Cd、Hg和As等有毒元素)，其光谱范围覆盖可见及近红外区(500-850nm)并且具有相对较小的粒子尺寸，这些特点都是传统的CdSe等II-VI族量子点所不具备的，在近些年来也逐渐受到广大课题组及相关企业的重视。

相较于合成工艺日趋成熟的IIB-VI量子点，如何得到高光学质量，高稳定性的InP量子点，使其能够满足显示、照明等领域的应用需求，一直是业内的研究难点与重点。目前合成InP量子点的常用铟前体主要为卤代铟、羧酸铟，但是，卤代铟作为铟前体时，得到的量子点的量子产率低、半峰宽大；羧酸铟作为铟前体时，波长不易调节、半峰宽大。因此，优化InP量子点的制备方法，特别是新型铟前体的使用，对调节波长范围，对于提升量子产率、减小半峰宽具有非常重要的意义。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种铟氧簇合物，分子式为R(In_xO)_y，其中，R选自取代或未取代的脂肪族基团，0＜x＜1，0＜y＜1。

进一步地，铟占所述铟氧簇合物的重量百分比为15～25％。

进一步地，R选自取代或未取代的C6-C30脂肪烃基中的至少一种。

本申请还提供一种上述铟氧簇合物的制备方法，包括步骤：对脂肪酸铟进行热处理，以形成铟氧簇合物。

进一步地，所述热处理的温度不小于300℃；

优选地，所述热处理的时间不少于0.5h；

优选地，所述热处理在含惰性气体的环境下完成。

本申请还提供一种量子点的制备方法，所述量子点包含核体，所述核体包含铟-V族化合物，所述量子点的制备方法包括步骤：

S1、根据上述的方法制备铟氧簇合物；

S2、在所述铟氧簇合物中加入V族元素前体，以反应形成所述铟-V族化合物。

进一步地，步骤S2中，所述铟氧簇合物被分散于非配位有机溶剂中形成分散液，所述铟氧簇合物的摩尔浓度为0.01～1mol/L。

进一步地，在所述分散液中，所述铟氧簇合物与所述V族元素前体的摩尔比为1:(0.2～5)。