[发明专利]一种确定OPC最小分割长度的方法有效
申请号: | 202011325662.8 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112415864B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 牛东华;张辰明;何大权;魏芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 确定 opc 最小 分割 长度 方法 | ||
本发明提供一种确定OPC最小分割长度的方法,通过对一系列测试图形分别设置不同的图形边分割长度,并计算测试图形基于模型的OPC仿真值与晶圆上光阻CD数据的差,然后求出均方根,当均方根出现最小值时所对应图形分割长度即为测试图形边最小分割长度。解决了基于模型的OPC中对目标版图图形不能合理分段而导致OPC修正精度不高的问题,提高了产品良率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种确定OPC最小分割长度的方法。
背景技术
随着工艺节点的不断减小,OPC(Optical Proximity Correction)已经成为半导体制造过程中提高良率不可缺少的环节。在版图出版过程中,为了消除光学临近效应所造成的图形失真现象,需要对版图进行OPC修正,进而补偿光学临近效应对图形造成的影响。目前OPC修正方式主要有两种:基于规则的OPC和基于模型的OPC。基于模型的OPC修正已广泛应用于掩膜版出版过程中,并使得硅片上最终得到的图形与设计版图尽可能一致。
考虑到图形尺寸的不断减小且图形复杂度逐步在增加,基于模型的OPC修正精度需要越来越高才能更进一步满足工艺需求,使得原始设计版图尽可能同样呈现在硅片上,而不会出现断开或者连接在一起或者出现Edge Placement Error(常见EPE,边缘修正误差)等工艺弱点。此时,对目标版图图形边进行合理的切割或分段是不可或缺的一环,这是基于模型的OPC修正过程中一个重要的步骤,不仅如此,对目标版图图形边进行合理的切割或分段对OPC修正精度也会产生极大的影响。理想条件下,如果掩膜版制作能力允许,尽可能减小图形边切割长度是最好的,这样得到的OPC修正精度就足够满足更小节点的工艺要求。考虑到掩膜版制作能力的限制,无限制减小分割长度,反而会使得掩膜版偏离原本的OPC修正结果,因此必须限定图形边最小分割长度。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种确定OPC最小分割长度的方法,用于解决现有技术中基于模型的OPC中对目标版图图形不能合理分段,从而导致OPC修正精度不高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种确定OPC最小分割长度的方法,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、确定目标层及该目标层所对应的ADI目标值为ADI target;
步骤二、根据所述ADI目标值获得基于OPC处理后的测试图形的长度分段值的取值范围和宽度或间距分段值的取值范围;在所述长度分段值的取值范围内以x步长变化取得m个所述测试图形的长度分段值;在所述宽度或间距分段值的取值范围内以y步长变化取得n个所述测试图形的宽度或间距分段值;
步骤三、将所述m个长度分段值与n个宽度或间距分段值用于形成m*n个所述测试图形,并对所述m*n个测试图形进行基于模型的OPC仿真,得到每个测试图形被分段区域的CD仿真值;
步骤四、根据所述m*n个测试图形得到测试图形掩膜版;
步骤五、利用所述测试图形掩膜版对晶圆进行曝光和显影,得到m*n个晶圆上的光阻图形CD值;
步骤六、分别计算所述m*n个测试图形中每个测试图形的CD仿真值和与其对应的所述晶圆上的光阻图形CD值的差;得到m*n个CD差值,根据所述m*n个CD差值计算均方根;所述均方根最小时对应的所述测试图形的长度分段值为所述测试图形的最小分割长度。
优选地,步骤一中的所述ADI目标值为图形线宽。
优选地,步骤一中的所述ADI目标值为图形间距。
优选地,步骤二中的所述测试图形的长度分段值的取值范围为1/2ADI target~3/4ADI target;所述测试图形的宽度分段值的取值范围为1/4ADI target~3/2ADItarget。
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