[发明专利]存储器位映射关系确定方法、装置、处理器芯片及服务器在审

专利信息
申请号: 202011326109.6 申请日: 2020-11-23
公开(公告)号: CN112466379A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 王建龙;姚其爽 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14;G11C29/18
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 300000 天津市滨海新区天津华苑*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 存储器 映射 关系 确定 方法 装置 处理器 芯片 服务器
【权利要求书】:

1.一种存储器位映射关系确定方法,其特征在于,包括:

获取仿真激励文件,其中,所述仿真激励文件用于在存储器的每一个读写周期进行一次逻辑地址跳变,对一个数据宽度的存储单元进行写入操作;

在每一个写周期内,将所述存储单元的各位中写入的数据初始化为该数据的相反值;

基于所述仿真激励文件对所述存储器进行仿真测试,得到在每一个写周期内,存储的数据发生翻转的存储单元的例化层次;

确定在每一个写周期内,存储的数据发生翻转的存储单元的例化层次与逻辑地址之间的第一映射关系;

确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系;

根据所述第一映射关系以及所述第二映射关系,确定所述存储单元的所述物理坐标与所述逻辑地址之间的映射关系。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,基于所述仿真激励文件对所述存储器进行仿真测试,得到在每一个写周期内,存储的数据发生翻转的存储单元的例化层次,包括:

在每个写周期内,确定出存储数据的节点的电压值变化超出阈值的存储单元的例化层次。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系,包括:

根据所述存储器的电路网表以及版图进行版图与线路图的同一性验证LVS,得到所述存储单元中任意晶体管在所述存储器的版图中的物理坐标;

根据所述晶体管与所述存储单元之间的位置关系,确定出所述存储单元在所述版图中的物理坐标;

确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系,包括:

根据所述存储器的电路网表以及版图进行版图与线路图的同一性验证LVS,得到所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标以及所述存储单元的例化层次;

确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,获取仿真激励文件,包括:

基于Verilog产生所述仿真激励文件。

6.一种存储器位映射关系确定装置,其特征在于,包括:

获取模块,被配置为获取仿真激励文件,其中,所述仿真激励文件用于在存储器的每一个读写周期进行一次逻辑地址跳变,对一个数据宽度的存储单元进行写入操作;

初始化模块,被配置为在每一个写周期内,将所述存储单元的各位中写入的数据初始化为该数据的相反值;

测试模块,被配置为基于所述仿真激励文件对所述存储器进行仿真测试,得到在每一个写周期内,存储的数据发生翻转的存储单元的例化层次;

第一确定模块,被配置为确定在每一个写周期内,存储的数据发生翻转的存储单元的例化层次与逻辑地址之间的第一映射关系;

第二确定模块,被配置为确定所述存储单元的例化层次与所述存储单元在所述存储器的版图中的物理坐标之间的第二映射关系;

第三确定模块,被配置为根据所述第一映射关系以及所述第二映射关系,确定所述存储单元的所述物理坐标与所述逻辑地址之间的映射关系。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述测试模块具体被配置为:

在每个写周期内,确定出存储数据的节点的电压值变化超出阈值的存储单元的例化层次。

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