[发明专利]原子层沉积设备与制程方法有效

专利信息
申请号: 202011327270.5 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112609170B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 林俊成;易锦良;许雲齐;姚信宇 申请(专利权)人: 鑫天虹(厦门)科技有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 361101 福建省厦门市厦门火*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 原子 沉积 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备包括:

一腔体,具有底部抽气口;

一基材载台,设置于所述腔体中,所述基材载台包括一基材承载部与一外缘部,其中所述外缘部围绕并连接所述基材承载部,且所述基材承载部高于所述外缘部;

一下抽气装置,通过所述底部抽气口,持续不间断地对所述腔体进行下抽气;

一上抽气装置,具有复数个抽气孔;以及

一挡件,用于形成至少一上抽气路径于所述挡件与所述上抽气装置的底部之间,以及至少一下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间;

其中所述上抽气装置在涤洗所述腔体的前驱物时对所述腔体进行上抽气,其中所述挡件包括彼此连接的横向延伸部与复数个纵向延伸部,其中所述横向延伸部连接所述基材载台的所述基材承载部,以及所述纵向延伸部的每一者对应于所述上抽气装置的所述抽气孔的其中一者,以形成所述上抽气路径于所述挡件与所述上抽气装置的底部之间,以及所述下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,其中所述横向延伸部与所述上抽气装置的底部之间具有第一纵向距离,以及所述横向延伸部与基材载台的外缘部之间具有小于所述第一纵向距离的第二纵向距离。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括:

一喷头组件,提供至少一前驱物或涤洗气体至所述腔体内。

4.一种原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备包括:

一腔体,具有底部抽气口;

一基材载台,设置于所述腔体中,所述基材载台包括一基材承载部与一外缘部,其中所述外缘部围绕并连接所述基材承载部,且所述基材承载部高于所述外缘部;

一挡件;以及

复数个中空部件,所述复数个中空部件的每一者具有抽气孔,以及所述复数个中空部件的底部的一部分对应设置于所述基材载台的上方;

其中所述复数个中空部件的每一者的所述抽气孔对应设置有所述挡件,其中所述挡件包括彼此连接的横向延伸部与复数个纵向延伸部,其中所述横向延伸部连接所述基材载台的所述基材承载部,以及所述纵向延伸部的每一者对应于所述中空部件的所述抽气孔的其中一者,以形成上抽气路径于所述挡件与所述中空部件的底部之间,以及下抽气路径于所述基材载台与所述挡件之间。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,其中所述横向延伸部与该中空部件的底部之间具有第一纵向距离,以及所述横向延伸部与所述基材载台的外缘部之间具有小于所述第一纵向距离的第二纵向距离。

6.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,其中所述的原子层沉积设备还包括升降装置,连接所述基材载台,其中所述升降装置驱动所述基材载台与所述挡件靠近或远离所述中空部件,以调整所述中空部件与所述挡件之间的第一纵向距离。

7.一种应用权利要求1到6任一项原子层沉积设备的原子层沉积制程方法,其特征在于,所述原子层沉积制程方法包括:

步骤A,对腔体内部进行持续地下抽气,其中下抽气自所述原子层沉积制程开始至结束不间断;

步骤B,自所述腔体上方对所述腔体内部以及所述腔体内的基材载台上的基材提供前驱物;

步骤C,停止对所述腔体内部以及所述腔体内的所述基材提供所述前驱物;

步骤D,于停止提供所述前驱物给所述腔体内部的一段时间后,自所述腔体上方对所述腔体内部提供涤洗气体,其中在开始对所述腔体内部提供所述涤洗气体时,同步地对所述腔体内部进行上抽气以移除所述前驱物;以及

步骤E,停止提供该涤洗气体至该腔体内部后,停止上抽气,其中该上抽气的时间大于或等于提供该涤洗气体的时间。

8.根据权利要求7所述的原子层沉积制程方法,其特征在于,其中于步骤A中,通过下抽气装置对该腔体内部进行下抽气;于步骤B与步骤D中,通过喷头组件提供该前驱物以及该涤洗气体给该腔体内部;于步骤D中,通过上抽气装置对该腔体内部进行上抽气。

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