[发明专利]一种基于单极型晶体管的放大器、芯片及方法

权利要求书

1.一种基于单极型晶体管的放大器，其特征在于，包括：

输入交流耦合网络，包括第一零点f_z0和第一极点f_p0；

电容自举放大电路，包括第二零点f_z1、第二极点f_p1和第三极点f_p2；

其中，所述第一零点f_z0＝0，所述第一极点f_p0等于所述第二极点f_p1；

所述第一极点f_p0对应的频率大于第二零点f_z1对应的频率；

所述电容自举放大电路包括两个结构对称放大模块，所述放大模块包括第一晶体管、第二晶体管、自举电容和第一电阻；

所述第一晶体管的栅极与所述输入交流耦合网络连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极连接至电流源，所述第二晶体管的漏极连接至电源电压，所述第二晶体管的栅极通过第一电阻连接至电源电压，所述自举电容连接在所述第二晶体管的栅极和源极之间；所述自举电容和所述第一电阻构成正反馈网络，所述第一晶体管的漏极作为放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种基于单极型晶体管的放大器，其特征在于，所述输入交流耦合网络为一阶RC高通滤波器。

3.根据权利要求1所述的一种基于单极型晶体管的放大器，其特征在于，所述输入交流耦合网络包括两个结构对称的输入模块，所述输入模块包括隔直电容和第二电阻；

所述隔直电容的一端作为放大器的输入端，所述隔直电容的另一端与所述第一晶体管的栅极连接，所述第二电阻的一端与所述隔直电容的另一端连接，所述第二电阻的另一端连接至直流偏置电压。

4.一种芯片，包括放大器，其特征在于，所述放大器采用如权利要求1-3任一项所述的一种基于单极型晶体管的放大器来实现。

5.一种设计方法，应用于如权利要求1-3任一项所述的一种基于单极型晶体管的放大器，其特征在于，包括：

获取输入交流耦合网络的第一极点f_p0的第一表达式，以及获取电容自举放大电路的第二极点f_p1的第二表达式；

根据所述第一表达式和第二表达式计算放大器中电子元器件的参数，以使所述第一极点f_p0等于所述第二极点f_p1。

6.根据权利要求5所述的一种设计方法，其特征在于，所述第一表达式为：

其中，R_in代表第二电阻，C_in代表隔直电容；

所述第二表达式为：

其中，g_m2代表第二晶体管的跨导，r_O1代表第一晶体管的阻值，r_O2代表第二晶体管的阻值，Rf代表第一电阻，C_f代表自举电容。