[发明专利]一种基于磁通密度突变的平面能量收集器

权利要求书

1.一种基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：包括外壳、线圈阵列一、线圈阵列二和磁铁阵列，所述线圈阵列一和所述线圈阵列二均由多个串联连接的线圈构成，所述线圈阵列一和所述线圈阵列二串联连接，所述线圈阵列一设置于所述外壳的壳盖上，所述线圈阵列二设置于所述外壳的壳底座，所述磁铁阵列由多个小磁铁构成，所述磁铁阵列设置于所述线圈阵列一和所述线圈阵列二之间，且所述磁铁阵列的两端与所述壳底座的两个端板通过弹簧连接。

2.根据权利要求1所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述线圈阵列一和所述线圈阵列二均由16个线圈呈矩形排列而成，且所述线圈阵列一和所述线圈阵列二的各个线圈分别由线柱固定在所述外壳的壳盖和壳底座上。

3.根据权利要求1所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述壳盖上设置有穿线孔一和穿线孔二，所述线圈阵列一的各个线圈的两个线头分别由所述穿线孔一和所述穿线孔二穿出所述外壳并串联连接。

4.根据权利要求1所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述壳底座上设置有穿线孔三和穿线孔四，所述线圈阵列二的各个线圈的两个线头分别由所述穿线孔三和所述穿线孔四穿出所述外壳并串联连接。

5.根据权利要求1所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述壳盖的底部设置有两个限位销，所述壳底座的上端板外凸，所述壳底座的下端板上设置有与两个限位销相对的限位孔，所述壳盖的顶端位于所述壳底座的上端板的底部，且通过螺钉连接，所述壳盖的底端则通过限位销插入所述限位孔内，实现与所述壳底座的限位连接。

6.根据权利要求5所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述磁铁阵列由16个立方体小磁铁按照N极和S极交替的方式进行排布而成，所述磁铁阵列设置于磁铁支架内，两个弹簧的一端固定所述磁铁支架上下端设置的弹簧固定槽内，两个弹簧的另一端固定在所述壳底座的上端板和下端板内侧设置的弹簧固定槽内。

7.根据权利要求6所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述壳底座的两侧板的内侧设置有滑道，所述滑道顶部侧壁上设置有多个滚珠孔一，所述滑道底部侧壁上设置有多个滚珠孔二，所述滚珠孔一和所述滚珠孔二内设置有滚珠，所述磁铁支架的两侧与所述滑道滚动连接。

8.根据权利要求7所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述滚珠为氮化硅滚珠。

9.根据权利要求8所述的基于磁通密度突变的平面能量收集器，其特征在于：所述磁铁支架与所述外壳的间隙中设置有润滑油。