[发明专利]一种复合层氮化铝陶瓷电路板在审
| 申请号： | 202011330087.0 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112752414A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 浦恩祥;刘毅;惠宇;武海军;陈登权;尹俊美;付全;马丽华;戴华;张健康;卢绍平;姚亮 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司;大连大学 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H05K3/18 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 氮化 陶瓷 电路板 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
所述的电路板自底向外依次由氮化铝陶瓷基底层(1)、激光分解层(2)和化学镀层组成；
所述的激光分解层(2)为使用激光雕刻机在氮化铝陶瓷表面扫描生成的所需电路；
所述激光分解层(2)由单质铝构成；
所述激光分解层的厚度为10-1000nm；
所述的化学镀层的厚度为1-100μm。
2.根据权利要求1所述的复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
所述的化学镀层包括化学镀铜层(3)。
3.根据权利要求2所述的复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
还包括在所述的化学镀铜层(3)上镀制的化学镀镍层(4)。
4.根据权利要求3所述的复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
还包括在所述的化学镀镍层(4)镀制的化学镀银/金层(5)。
5.根据权利要求1至4任一项所述的复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
所述的激光分解层的厚度为100nm。
6.根据权利要求1至4任一项所述的复合层氮化铝陶瓷电路板，其特征在于：
所述的化学镀层的厚度为1-10μm。
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