[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件及半导体组件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

外延生长形成半导体外延片，所述外延生长形成半导体外延片，包括：

在衬底上依次生长第一限制层、量子阱、第二限制层、脊形成层和欧姆接触层；

根据光刻脊条在所述半导体外延片上刻蚀出第一脊条结构，刻蚀深度小于所述第二限制层、所述脊形成层和所述欧姆接触层的总厚度；

根据光刻窗口在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构，所述第二脊条结构的脊条宽度小于所述第一脊条结构的脊条宽度，所述第二脊条结构和所述第一脊条结构的材料不同，所述第二脊条结构的材料为Ti、Ni、Pt、Cu、Au、Ge、多晶硅中的一种或多种；

在所述半导体外延片上依次形成绝缘层和金属层，所述绝缘层覆盖除所述第一脊条结构上表面以外的区域；

在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构之后，在所述半导体外延片上依次形成绝缘层和金属层之前，还包括离子注入步骤；

所述离子注入步骤包括：对所述第二脊条结构进行离子注入；或者，对所述第一脊条结构和所述第二脊条结构之间的第一区域进行离子注入；或者，对所述第一脊条结构和所述第二脊条结构之间的第一区域和所述第二脊条结构进行离子注入；

在所述半导体外延片上依次形成绝缘层和金属层之前，还包括：

对所述半导体外延片进行化学机械抛光，使所述第一脊条结构和所述第二脊条结构的脊条高度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述根据光刻脊条在所述半导体外延片刻蚀出第一脊条结构，包括：

在所述欧姆接触层上涂覆第一光刻胶；

通过第一掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光显影，形成第一光刻图案，所述第一光刻图案包括至少一个脊形图案；

对所述第一光刻图案以外的区域进行刻蚀，形成第一脊条结构；

去除所述第一光刻图案。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶为正光刻胶或负光刻胶。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述根据光刻窗口在所述半导体外延片上沉积出第二脊条结构，包括：

在所述欧姆接触层上涂覆第二光刻胶；

通过第二掩膜版对所述第二光刻胶进行曝光显影，形成第二光刻图案，所述第二光刻图案包括至少一个窗口区域；

在所述窗口区域内沉积损耗材料，形成第二脊条结构；

去除所述第二光刻图案。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二光刻胶为正光刻胶或负光刻胶。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体外延片上依次形成绝缘层和金属层，包括：

在所述半导体外延片上沉积绝缘层；

对所述绝缘层进行刻蚀，去除所述第一脊条结构上的所述绝缘层，形成电流注入窗口；

在所述半导体外延片上形成金属层。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1至6中任一项所述的方法制造而成。

8.一种半导体组件，其特征在于，所述半导体组件包括多个如权利要求7所述的半导体器件。