[发明专利]一种基于TDBCs-Kretschmann的高灵敏度手性分子检测结构设计方法有效
| 申请号： | 202011330341.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112577928B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 胡燕祝;王松;宋钢;康慧兵 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;G16C20/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tdbcs kretschmann 灵敏度 手性 分子 检测 结构设计 方法 | ||
1.一种基于TDBCs-Kretschmann的高灵敏度手性分子检测结构设计方法，特征在于：(1)洛伦兹振荡器建模，确定手性TDBCs；(2)确定TM偏振的反射系数；(3)确定反射光束的横向偏移；(4)确定入射角；(5)确定具有手性结构的两个分裂频率；(6)确定Rabi分裂；具体包括以下六个步骤：
步骤一：洛伦兹振荡器建模，确定手性TDBCs的介电常数ε3：
其中，i表示左边或者右边，nbg是背景索引，wi是TDBC的谐振频率，w是入射光的频率，γi是TDBC的阻尼常数，fi是振荡器的强度，取决于分子浓度；
步骤二：确定TM偏振的反射系数r：
其中，ε1为介电指数，ε2是Au的介电常数函数，θ是手性束与竖直平面的夹角，k0是真空波矢量，d是手性TDBCs和Au膜之间的距离；
步骤三：确定反射光束S的横向偏移：
其中，ε1是介电指数，φr是r的相位，θ是手性束与竖直方向的夹角；
步骤四：确定入射角θ：
入射角θ等于表面等离子体共振角θSPPs，因此可以得到sinθ＝sinθSPPs：
其中，ε2是Au的介电常数函数；
步骤五：确定具有手性结构的两个分裂频率wi,±：
首先选择一定值的fi和d来计算LTDBC和RTDBC的反射光谱R和归一化GH偏移S/λ，λ是入射波长，入射角为θSPPs，同时，归一化GH的偏移S/λ也存在不同之处；忽略结构的耗散，计算具有手性结构的两个分裂频率；
其中，f是耦合强度，ni,effc2为评价手性TDBCs结构的有效指标，ni,eff是本设计建议的手性TDBC结构的有效指数，c是光速；
步骤六：确定Rabi分裂Ωi：
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