[发明专利]一种NANDFlash LUN自组读电压序列的方法在审
| 申请号： | 202011331568.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112420111A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 曹成 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G06F12/02 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash lun 电压 序列 方法 | ||
1.一种NANDFlash LUN自组读电压序列的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S01）、确定NANDFlash读电压的影响因素，确定影响因素的基数和步长；
S02）、Block状态定时巡检，定时巡检以LUN为单位、对LUN内所有Block进行巡检，将LUN内首个达到影响因素步长阈值的Block放入查找最优电压值序列的队列内，然后根据影响因素查找最优读电压V1；
S03）、将最优读电压V1和最优读电压V1对应的影响因素保存起来；
S04）、当同一LUN内有Block达到影响因素条件时，使用符合该条件的最优读电压V1读取数据；
S05）、读取完成后检查该Block的错误数是否大于错误数阈值与错误数溢出上限的和，如果大于则将该Block添加到查找最优电压值序列的队列中，然后查找该Block对应的最优读电压V2；
S06）、对同一LUN内达到影响因素条件的其他Block执行步骤S04、S05的操作，根据读取情况最优电压值序列的队列扩展到最优读电压V3；
S07）、电压值序列V1、V2、V3每次使用成功时权重加1，将权重最高的设置为V1；使用V1失败后使用V2，使用V2失败后使用V3。
2.根据权利要求1所述的NANDFlash LUN自组读电压序列的方法，其特征在于：影响因素包括磨损次数、数据保存时长、温差、读干扰和驻留时间。
3.根据权利要求1或2所述的NANDFlash LUN自组读电压序列的方法，其特征在于：步骤S01同时设定不同影响因素的优先级，步骤S02、S05中，根据影响因素优先级查找Block对应的最优读电压。
4.根据权利要求1所述的NANDFlash LUN自组读电压序列的方法，其特征在于：影响因素步长阈值=基数+n*步长+余量，n为0或正整数。
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