[发明专利]非易失性存储器的试错表的生成方法及装置

说明书

本申请公开了一种非易失性存储器的试错表的生成方法及装置。其中，该方法包括：获取导致非易失性存储器的读数据出错的环境变量；确定环境变量的定量描述数值，定量描述数值用于通过精确的数据描述环境变量；分别在不同的环境变量的定量描述数值下，读取非易失性存储器的数据；依据从非易失性存储器读取的数据生成非易失性存储器的试错表。本申请解决了当读Nand flash出现UECC时，利用nand flash厂家提供的固定试错表(retry table)纠正读出错的数据，导致纠错效率较低，而且厂家提供的固定试错表覆盖的使用场景较少的技术问题。

技术领域

本申请涉及存储设备领域，具体而言，涉及一种非易失性存储器的试错表的生成方法及装置。

背景技术

当读Nand flash出现UECC(Uncorrectable Error Checking and Correcting)时，第一步就是用试错表(retry table)纠正，通过尝试不同的retry table值来纠正读出错的数据。

现有的重试方式是查询nand flash厂家提供的固定retry table，依次使用retrytable提供的条目尝试读取nand flash。如果数据纠回来就停止查表；如果数据纠正不过来会一直查retry table直到把整个表查询完。

现有的重试方式主要存在以下缺点：

1)因为要逐条查询retry table，当纠正不回来会尝试表中的下一个条目，这样势必会增加试错的次数，增加处理写命令的延迟，这样固态硬盘(Solid State Disk，SSD)处理数据就会变得异常缓慢，给客户带来糟糕的用户体验。

2)nand flash厂家提供的retry table只是一些特定环境变量下的retry值，而SSD的使用场景千变万化，厂家提供的retry table有很多场景都覆盖不到，这样可能把表项都试完数据也纠正不回来，结果白白浪费了很多处理命令的时间。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请实施例提供了一种非易失性存储器的试错表的生成方法及装置，以至少解决当读Nand flash出现UECC时，利用nand flash厂家提供的固定试错表(retry table)纠正读出错的数据，导致纠错效率较低，而且厂家提供的固定试错表覆盖的使用场景较少的技术问题。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种非易失性存储器的试错表的生成方法，包括：获取导致非易失性存储器的读数据出错的环境变量；确定环境变量的定量描述数值，定量描述数值用于通过精确的数据描述环境变量；分别在不同的环境变量的定量描述数值下，读取非易失性存储器的数据；依据从非易失性存储器读取的数据生成非易失性存储器的试错表。

可选地，环境变量至少包括：非易失性存储器使用环境的外界温度、非易失性存储器的数据保存时间是否达到预设期限、非易失性存储器的擦写次数、从非易失性存储器读取的数据的当前温度、非易失性存储器的字线层数以及非易失性存储器的电压状态。

可选地，确定环境变量的定量描述数值，包括：按照第一预设间隔区间将非易失性存储器使用温度范围划分为多个温度区间，在每个温度区间中分别为非易失性存储器使用环境的外界温度和从非易失性存储器读取的数据的当前温度设定一个测量值，将测量值作为非易失性存储器使用环境的外界温度和从非易失性存储器读取的数据的当前温度的定量描述数值；按照第二预设间隔区间将非易失性存储器的最大擦写次数划分为多个擦写次数区间，在每个擦写次数区间中统计一个非易失性存储器的擦写次数的定量描述数值；按照第三预设间隔区间将非易失性存储器的字线层数划分为多个字线层数区间，在每个字线层数区间中统计一个非易失性存储器的字线层数的定量描述数值；用真和假两个布尔类型的值作为非易失性存储器的数据保存时间是否达到预设期限的定量描述数值；设定预设数量需要校准的电压点作为非易失性存储器的电压状态的定量描述数值。