[发明专利]电磁活塞和磁流变减振器有效

专利信息
申请号: 202011331801.8 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112324837B 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: 梁冠群;李宁斐;上官郑伟;危银涛;杜永昌;吕靖成;陈文武;童汝亭 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: F16F9/32 分类号: F16F9/32;F16F9/53
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 周琦
地址: 100084 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电磁 活塞 流变 减振器
【权利要求书】:

1.一种电磁活塞,其特征在于,包括:

铁芯活塞体,所述铁芯活塞体的外壁上套设有线圈;

活塞外套,套设于所述铁芯活塞体的外部且与所述铁芯活塞体的外壁具有作为阻尼通道的间隙;

磁路换向环组,包括第一磁路换向环和第二磁路换向环,所述第一磁路换向环套设于所述线圈的外壁上,所述第二磁路换向环嵌套于所述活塞外套的内壁上且位于所述第一磁路换向环的对应位置;

且所述活塞外套与所述铁芯活塞体的磁导率高于所述磁路换向环组的磁导率。

2.根据权利要求1所述的电磁活塞,其特征在于,所述铁芯活塞体的两端分别设有固定压板,所述固定压板与所述活塞外套的内壁相连,且所述压板上设有多个通孔,所述通孔与所述间隙相连通。

3.根据权利要求2所述的电磁活塞,其特征在于,所述固定压板的外径大于所述铁芯活塞体的外径。

4.根据权利要求1所述的电磁活塞,其特征在于,所述活塞外套与所述铁芯活塞体采用相同的高磁导率材料,相对磁导率1000;所述磁路换向环组采用低磁导率材料,相对磁导率1。

5.根据权利要求1所述的电磁活塞,其特征在于,还包括涡流抑制环,所述涡流抑制环嵌套于所述铁芯活塞体的外壁上且位于所述线圈的两侧。

6.根据权利要求5所述的电磁活塞,其特征在于,所述铁芯活塞体的外壁向内凹陷,构造出台阶腔,所述台阶腔包括第一台阶腔和第二台阶腔,所述线圈设置于所述第一台阶腔内且延伸至所述第二台阶腔的开口处,所述涡流抑制环设置于所述第二台阶腔内。

7.根据权利要求6所述的电磁活塞,其特征在于,两个所述涡流抑制环的延伸部沿着所述线圈的外壁相向延伸,构造出限制所述第一磁路换向环的容纳腔。

8.根据权利要求5所述的电磁活塞,其特征在于,所述涡流抑制环采用高磁导率高电阻率材料,相对磁导率1000,电阻率1×10-6Ωm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电磁活塞,其特征在于,还包括永磁体,所述永磁体套设于所述铁芯活塞体的外壁上且位于所述线圈的内环处,所述永磁体产生的磁场方向与所述线圈产生的磁场方向相反。

10.一种磁流变减振器,其特征在于,包括缸体、活塞杆和权利要求1至9中任一项所述的电磁活塞,所述电磁活塞套设于所述缸体的内壁上,所述活塞杆的一端延伸至所述缸体内与所述电磁活塞相连,且所述活塞杆的中空腔室内设有导线,所述导线与所述线圈相连。

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