[发明专利]半导体器件的制备方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述衬底上方形成介电层；

在所述介电层上方形成牺牲层；

对所述牺牲层进行图案化处理，以在所述介电层上方形成牺牲层图案；其中，所述牺牲层图案包括沿第一方向的两个间隔设置的第一边界图案单元，以及位于所述第一边界图案单元之间且沿第二方向的若干间隔设置的分隔图案单元；其中，所述第一方向与所述第二方向相交；

在所述牺牲层图案的每个图案单元的侧壁上形成间隔物；

对所述间隔物之间进行填充，形成包覆所述牺牲层图案的第一填充层，去除所述第一填充层中的间隔物，以在所述介电层上方形成填充层图案；其中，所述填充层图案包括若干与所述分隔图案单元间隔且交替的填充图案单元；

在所述牺牲层图案和所述填充层图案上方形成掩膜层，并对所述掩膜层进行图案化处理，以在所述牺牲层图案和所述填充层图案上方形成掩膜图案；其中，所述掩膜图案包括沿第三方向的若干间隔设置的第一线掩膜图案单元，以及覆盖在所述第一边界图案单元上的第二线掩膜图案单元，所述第三方向与所述第二方向相交；

利用所述掩膜图案对所述分隔图案单元和所述填充图案单元进行图案化处理，以在所述介电层上方形成呈阵列排布的若干牺牲柱和若干填充柱。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分隔图案单元与所述第一边界图案单元接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分隔图案单元与所述第一边界图案单元相交，且所述分隔图案单元延伸至所述第一边界图案单元之外。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三方向与所述第一方向相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述第一边界图案单元、所述牺牲柱和所述填充柱之间进行填充，以形成第二填充层；

去除所述第二填充层中的所述第一边界图案单元、所述牺牲柱和所述填充柱，以在所述第二填充层上形成边界沟槽和呈阵列排布的若干开口；其中，若干所述开口构成开口阵列；

以所述边界沟槽和所述开口为刻蚀窗口，对所述边界沟槽和所述开口下方的所述介电层进行刻蚀，以在所述介电层上形成刻蚀沟槽和呈阵列排布的若干刻蚀孔；

在所述刻蚀孔内形成存储单元，并在所述刻蚀沟槽内形成所述存储单元的区域边界。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述牺牲层图案还包括沿第四方向的两个间隔设置的第二边界图案单元，其中，所述第四方向与所述第一方向垂直，所述第一边界图案单元和所述第二边界图案单元构成一封闭的边界图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述开口阵列中，位于所述第四方向边缘位置的所述开口的形状与位于内部的所述开口的形状不一致；

在所述开口阵列沿所述第一方向上，位于所述第四方向边缘位置的所述开口之间的距离与位于内部的所述开口之间的距离不一致。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述牺牲层进行图案化处理，以在所述介电层上方形成牺牲层图案，包括以下步骤：

在所述牺牲层上方形成第一光致抗蚀剂层；

通过第一掩膜版对所述第一光致抗蚀剂层进行图案化处理，以形成光致抗蚀剂图案；

通过所述光致抗蚀剂图案，对所述牺牲层进行刻蚀，以在所述介电层上方形成牺牲层图案；

去除所述光致抗蚀剂图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层图案的每个图案单元的侧壁上形成间隔物，包括以下步骤：

通过原子层沉积的方法在所述牺牲层图案的每个图案单元的上方及其侧壁上形成氧化物层；

对所述氧化物层进行回蚀工艺，以在所述牺牲层图案的每个图案单元的侧壁上形成间隔物。