[发明专利]一种具有纳米复合结构的光学防伪标识在审
申请号: | 202011332570.2 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112590419A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 潘安练;李梓维;黄明 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | B42D25/328 | 分类号: | B42D25/328;B42D25/405;B42D25/41 |
代理公司: | 长沙市和协专利代理事务所(普通合伙) 43115 | 代理人: | 熊晓妹 |
地址: | 410000 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 纳米 复合 结构 光学 防伪 标识 | ||
1.一种具有纳米复合结构的光学防伪标识,其特征在于,采用如下方法制得,步骤一:制备纳米复合结构,所述纳米复合结构包括衬底以及衬底上方的金纳米结构层,衬底包括单晶硅片或金属氧化物制成,步骤二:纳米复合结构阵列组合成任意图形;步骤三:利用白光照射所述图形,对光进行明场与暗场区分,从而显示出不同的明暗场图案而实现光学防伪。
2.根据权利要求1所述的具有纳米复合结构的光学防伪标识,其特征在于,所述金纳米结构层为螺旋结构或圆柱的立体结构。
3.根据权利要求2所述的具有纳米复合结构的光学防伪标识,其特征在于,所述螺旋结构是单匝的阿基米德螺旋光栅结构,且分为顺时针或逆时针两种,螺旋层的螺旋起始半径为100nm,光栅宽度为100nm,光栅间距为200nm,硅片为100或111晶向单面抛光本征单晶硅片;图形根据多个顺时针螺旋单元和逆时针螺旋单元根据预先的设计组成,相邻螺旋单元之间的间距为1000nm。
4.根据权利要求1所述的具有纳米复合结构的光学防伪标识,其特征在于,所述金属氧化物为氧化铝、氧化镁、氧化钙或氧化钾中的一种。
5.根据权利要求3或4所述的具有纳米复合结构的光学防伪标识,其特征在于,所述纳米复合结构通过以下方法制得,首先选取硅片或金属氧化物作为衬底,利用电子束曝光系统将设计优化的纳米复合结构,通过纳米图案生成软件,曝光在事先准备好的硅片上制得。
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