[发明专利]高压放电电路及高压放电电路控制方法

说明书

本发明涉及高压放电技术，提出了一种高压放电电路及高压放电电路控制方法。本发明解决了目前高压放电装置体积大、功率损耗高以及响应时间长的问题，主要技术方案包括：微控制器模块接收到触发信号一后开通MOS管一，接收到触发信号二后开通MOS管二，然后使MOS管三工作在高频开关状态下让升压变压器一变压后对电容一充电，以及开通MOS管四为电容二充电，然后接收到触发信号三后开通可控硅，可控硅开通后电容二的电压经升压变压器二变压后去触发触发管，触发管导通后使电容一对后级电路放电。本发明使得高压放电装置的体积小、功率损耗低，并且响应时间较短。本发明特别适用于雷管引爆、脉冲激光器、武器点火等设备。

技术领域

本发明涉及高压放电技术，特别涉及一种高压放电电路及高压放电电路控制方法。

背景技术

随着电源技术的发展，当前应用于雷管引爆、脉冲激光器、武器点火等设备中的高压电源放电装置对体积的要求越来越小、对逻辑控制、判断要求更严，非正常情况下决不允许误触发而引发放电动作。目前的高压放电装置一般通过PWM脉宽控制器加逻辑判断电路进行控制，这样会增加许多的逻辑判断电路，导致高压放电装置体积大、功率损耗高以及响应时间长等，并且对触发信号的幅值判断不准确、持续时间不可测、脉冲数不可控等，进而引起整个逻辑流程混乱，导致高压放电装置稳定性较差。

发明内容

本发明为解决目前高压放电装置体积大、功率损耗高以及响应时间长的问题，提供一种高压放电电路及高压放电电路控制方法。

为解决上述问题，本发明采用的技术方案是：

首先，提供一种高压放电电路，包括电源模块、MOS管一、MOS管二、MOS管三、MOS管四、可控硅、升压变压器一、升压变压器二、触发管、稳压二极管一、二极管一、二极管二、二极管三、电阻一、电阻二、电阻三、电阻四、电阻五、电阻六、电阻七、电阻八、电容一、电容二、电容三、电容四、电容五、电容六、微控制器模块、MOS管一驱动模块、MOS管二驱动模块、MOS管三驱动模块、MOS管四驱动模块和可控硅驱动模块；

所述MOS管一的源极作为电源输入端正极且与电阻一的一端连接，MOS管一的栅极与电阻一的另一端连接，MOS管一的漏极与电容三的一端和电阻二的一端连接，电阻二的另一端与电容四的一端连接，所述MOS管二的漏极作为电源输入端负极，MOS管二的栅极与稳压二极管一的阴极连接，MOS管二的源极与稳压二极管一的阳极、电容三的另一端和电源模块的相应接地端连接，所述MOS管三的栅极与电阻三的一端连接，MOS管三的源极与电阻四的一端连接，电阻三的另一端和电阻四的另一端与电源模块的相应接地端连接,升压变压器一的初级线圈的一端与电阻二的一端连接，升压变压器一的初级线圈的另一端与MOS管三的漏极和电容四的另一端连接，升压变压器一的次级线圈的一端与二极管一的阳极连接，升压变压器一的次级线圈的另一端与电阻六的一端连接，升压变压器一的初级线圈的一端与次级线圈的另一端互为同名端，二极管一的阴极与电阻五的一端连接，电容一的一端与电阻五的另一端和触发管的相对电极连接，电容一的另一端作为高压电输出端负极且与电阻六的另一端和电源模块的相应接地端连接，二极管二的阳极与电阻二的一端连接，二极管二的阴极与电容五的一端、电容六的一端、电阻七的一端和MOS管四的源极连接，电容五的另一端和电容六的另一端与电源模块的相应接地端连接，MOS管四的栅极与电阻七的另一端连接，MOS管四的漏极与电阻八的一端连接，电容二的一端与电阻八的另一端、可控硅的阳极和二极管三的阴极连接，升压变压器二的初级线圈的一端与电容二的另一端连接，升压变压器二的初级线圈的另一端与二极管三的阳极、可控硅的阴极和电源模块的相应接地端连接，升压变压器二的次级线圈的一端与触发管的触发电极连接，触发管的相邻电极作为高压电输出端正极且与升压变压器二的次级线圈的另一端与连接，升压变压器二的初级线圈的一端与次级线圈的另一端互为同名端；

所述微控制器模块具有信号输入接口一、信号输入接口二、信号输入接口三、信号输出接口一、信号输出接口二、信号输出接口三、信号输出接口四和信号输出接口五；