[发明专利]一种超薄二硒化钨纳米花的制备及应用方法

权利要求书

1.一种制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于包括如下步骤：

a.将一定量的钨源加入到有一定体积的油性溶剂的容器中，在搅拌下将混合物加热至80～120℃保温10～60分钟以进行脱水脱气处理，冷却降至室温后得到分散良好的溶液；

b.在上述溶液中加入一定量的硒源，随后溶液以一定加热速率加热到预定温度并保温，随后冷却至室温，采用环己烷进行清洗及离心3～5次，随后将粉末置于80～120℃下干燥3～6小时；所述加热的速率为1～10℃/min，加热温度为180～300℃，保温时间为10～120分钟；

c.将粉末研磨后置于填充惰性气氛的管式炉中煅烧处理，最终得到二硒化钨纳米花。

2.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤a中钨源采用钨酸钠、钨酸、羰基钨。

3.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤a中油性溶剂采用十八烯、油胺、油酸。

4.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤a中所述油性溶剂的加入体积与容器的体积比为1-2:2.5。

5.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤a中所述钨源的加入量与容器的比例为0.4～12mg/ml。

6.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤b中硒源采用亚硒酸、硒粉、二苄基二硒醚。

7.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤b中为使反应完全，硒源的量与钨源的量保证原子比为W:Se＝1:2。

8.根据权利要求1所示的制备超薄二硒化钨纳米花的方法，其特征在于所述步骤c中惰性气氛采用氩气或氮气进行填充；煅烧温度采用400～600℃，煅烧时间采用30～300分钟。

9.一种使用权利要求1所述制备超薄二硒化钨纳米花用于钾离子电池负极的方法，其特征在于：将一定质量比的超薄二硒化钨纳米花、科琴黑和粘结剂聚偏氟乙烯混合并研磨均匀，加入适量的N-甲基吡咯烷酮至液体能够刚好完全润湿粉末并搅拌8～15小时后将浆液均匀的涂布在铜箔上，在80～100℃温度下真空干燥10～15小时，得到钾离子电池负极；电解液采用1mol/L KFSI/DME，正极采用钾片，电池壳采用CR2032纽扣式电池壳，隔膜采用玻璃纤维类材料，由以上材料组装的电池在0.01～2.5V电压范围内对该负极材料进行测试。