[发明专利]一种基准源电路及芯片

权利要求书

1.一种基准源电路，其特征在于，所述基准源电路包括正温度系数电压模块和整合模块，所述正温度系数电压模块的第一输出端通过第一电阻与所述整合模块连接，所述正温度系数电压模块的第二输出端通过第二电阻与所述整合模块连接，所述基准源电路输出的基准电压的零温度系数点通过所述第一电阻与所述第二电阻的阻值差调节。

2.根据权利要求1所述的基准源电路，其特征在于，所述正温度系数电压模块包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的基极被配置为所述正温度系数电压模块的第一输出端，所述第二三极管的基极被配置为所述正温度系数电压模块的第二输出端。

3.根据权利要求2所述的基准源电路，其特征在于，所述第一三极管的be结反向饱和电流与所述第二三极管的be结反向饱和电流之比为预设值。

4.根据权利要求2所述的基准源电路，其特征在于，所述正温度系数电压模块还包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三电阻和电容器；

所述第一晶体管为PNP型三极管，所述第一晶体管的发射极与电源连接，所述第一晶体管的基极与自身的集电极连接，所述第一晶体管的集电极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端接地；

所述第二晶体管为PNP型三极管，所述第二晶体管的发射极与电源连接，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的基极连接；

所述第三晶体管为PNP型三极管，所述第三晶体管的发射极与电源连接，所述第三晶体管的基极与所述第一晶体管的基极连接；

所述第四晶体管为PNP型三极管，所述第四晶体管的发射极与所述第三晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的集电极接地；

所述电容器的一端与所述第四晶体管的基极连接，所述电容器的另一端接地；

所述第五晶体管为PNP型三极管，所述第五晶体管的发射极与所述第三晶体管的集电极连接；

所述第六晶体管为PNP型三极管，所述第六晶体管的发射极与所述第三晶体管的集电极连接，所述第六晶体管的基极与所述第五晶体管的基极连接，所述第六晶体管的基极还与自身的集电极连接；

所述第一三极管为NPN型三极管，所述第一三极管的集电极与所述第五晶体管的集电极连接，所述第一三极管的集电极还与所述第四晶体管的基极连接；

所述第二三极管为NPN型三极管，所述第二三极管的集电极与所述第六晶体管的集电极连接，所述第二三极管的发射极与所述第一三极管的发射极连接；

所述第七晶体管为NPN型三极管，所述第七晶体管的集电极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第七晶体管的集电极还与自身的基极连接；所述第七晶体管的发射极接地；

所述第八晶体管为NPN型三极管，所述第八晶体管的集电极与所述第一三极管的发射极连接；所述第八晶体管的基极与所述第七晶体管的基极连接，所述第八晶体管的发射极接地。

5.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述基准源电路还包括负温度系数电压模块，所述负温度系数电压模块的温度系数和所述正温度系数电压模块的温度系数符号相反，且在所述基准源电路的零温度系数点相互适配。

6.根据权利要求5所述的基准源电路，其特征在于，所述负温度系数电压模块包括第三三极管，所述第三三极管的基极发射极电压的温度系数被配置为所述负温度系数电压模块的温度系数。

7.根据权利要求6所述的基准源电路，其特征在于，所述整合模块包括第九晶体管、第四电阻、第五电阻和第六电阻；

所述第九晶体管为NPN型三极管，所述第九晶体管的集电极与电源连接，所述第九晶体管的基极与所述第三晶体管的集电极连接，所述第九晶体管的发射极与所述第四电阻的第一端连接；

所述第五电阻的第一端与所述第四电阻的第二端连接，所述第五电阻的第二端通过所述负温度系数电压模块与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端接地，所述正温度系数电压模块的第一输出端通过第一电阻与所述第五电阻的第一端连接，所述正温度系数电压模块的第二输出端通过第二电阻与所述第五电阻的第二端连接；

所述第四电阻的第一端用于输出所述基准电压。