[发明专利]一种IGBT晶圆的接触孔成形工艺在审
| 申请号： | 202011336884.X | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112447518A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/768;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张明利 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 接触 成形 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT晶圆的接触孔成形工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过LPCVD在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面面沉积Si3N4层，再以异向性干蚀刻Si3N4层形成深沟槽闸极侧壁的Si3N4垫片；
S2、在晶圆正面沉积ILD层；
S3、干蚀刻ILD层进行开孔，形成自上而下逐渐变窄的缓坡状接触孔；
S4、通过溅镀厚膜Al，Al在接触孔中完整的填充，形成IGBT的Emittor结构。
2.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的接触孔成形工艺，其特征在于，所述步骤S2中ILD层的沉积方法为LPCVD、APCVD和PECVD的一种。
3.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的接触孔成形工艺，其特征在于，所述ILD层底层为无掺杂的电介质，ILD层上层为掺杂P的电介质。
4.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的接触孔成形工艺，其特征在于，所述缓坡状接触孔的侧壁倾斜角度为75-85°。
5.根据权利要求1所述的IGBT晶圆的接触孔成形工艺，其特征在于，所述步骤S4中溅镀厚膜Al时温度为400℃以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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