[发明专利]一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：包括基材层(1)、胶层(2)和离型膜层(3)，所述胶层(2)位于基材层(1)和离型层(3)之间，所述胶层(2)为UV减粘胶水涂布于基材层(1)上烘干制得的，所述UV减粘胶水包括以下重量份组分：

2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述丙烯酸胶水包括以下重量份组分：

3.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述UV单体或低聚物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、芳香族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸-1，6-己二醇酯、二丙烯酸-1，6-己二醇酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二丙烯酸对新戊二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基戊烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化1，6-己二醇二丙烯酸酯、三(2-丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯中的两种或两种以上，以及多官能度低聚物或多官能度单体或其组合物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、季戊四醇四丙烯酸酯双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述固化剂为三苯基甲烷三异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯三聚体、甲苯二异氰酸酯三聚体、异佛尔酮二异氰酸酯三聚体、硫代磷酸三(4-苯基异氰酸酯)中的一种或几种的组合。

5.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述光引发剂为1-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基-甲基苯基丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、安息香双甲醚、二苯甲酮、2-异丙基硫杂蒽酮、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述塑化剂为邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、对苯二甲酸二辛酯中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述基材层(1)为PVC材质，厚度50～100μm。

8.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述离型膜层(3)为PET单硅离型膜，厚度12～75μm，离型力10～30g/25mm。

9.一种权利要求1～8任一所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、按比例将丙烯酸胶水、UV单体或低聚物、固化剂、光引发剂、塑化剂共混，黄光条件下，高速搅拌40min，同时补充适量乙酸乙酯，制得固含为25％的UV减粘胶水；

S2、在离型膜层(3)表面涂布UV减粘胶，经过100℃*3min烘烤，得到UV减粘胶层；

S3、将胶面与PVC薄膜复合，得到成品；

S4、成品经过45℃熟化3天即完成制备。

10.根据权利要求9所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜的制备方法，其特征在于：所述S2中UV减粘层的干胶厚度为5～30μm。