[发明专利]一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法

权利要求书

1.一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)钙钛矿前驱体溶液的配置：

RMX₃钙钛矿前驱体溶液的配置方法为将有机胺卤素化合物RX、金属卤素化合物MX₂混合到有机溶剂中，常温搅拌过夜，得到澄清透明的黄色溶液；

2)三维钙钛矿薄膜的制备：

在手套箱中，将RMX₃钙钛矿前驱体溶液，通过一步旋涂法成膜结合滴加反溶剂的方法，在导电基底或涂有载流子传输薄层的导电基底上，进行钙钛矿前驱加合物薄膜的制备，退火并冷却至室温；

3)二维(F-PEA)₂PbI₄层的制备：

制备(F-PEA)₂PbI₄的异丙醇溶液，随后采用原位生长钝化层的方法将所得(F-PEA)₂PbI₄溶液旋涂到步骤2)的三维钙钛矿薄膜上，晾干，提高提高钙钛矿膜的质量；

4)然后在二维(F-PEA)₂PbI₄层上涂覆碳电极退火，达到改善钙钛矿/碳电极之间界面接触的目的。

2.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤1)：所述的RX中的R基团选自CH₃NH₃、NH₂-CH＝NH₂、CH₃CH₂NH₃、CH₃(CH₂)₂NH₃、CH₃(CH₂)₃NH₃、HC(NH₂)₂、C₆H₅(CH₂)₂NH₃基团中的一种；RX中的X为I、Br、Cl中一种，其中有机胺卤素化合物选自上述RX所述的一种、两种或几种混合物；MX₂中的金属M为Pb、Sn中的一种；金属盐化合物中的阴离子X为I、Br、Cl中一种；金属卤素化合物选自上述MX₂所述的一种、两种或几种混合物。

3.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤1)所述的RX、MX₂的摩尔比为1:1，RX和MX₂在钙钛矿前驱体溶液中的质量百分含量优选为35～40wt％。

4.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤1)所述的有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂，有机溶剂中DMSO体积分数为5～15vol％。

5.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤2)所述的反溶剂为氯苯、甲苯、乙醚、环己烷或以上的混合溶剂；滴加方法为旋涂结束前6s匀速滴加，使其呈一股连续液体滴下；

所述的导电基底为FTO导电玻璃、ITO导电玻璃或柔性导电基底；

所述的电子传输层的为氧化锌、二氧化锡、二氧化钛、镧掺杂的锡酸钡、富勒烯及衍生物。

6.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤2)在加热板上退火处理为25～120℃加热5～10min。

7.按照权利要求1所述的一种钙钛矿/碳电极的界面修饰方法，其特征在于，步骤3)F-PEAI的异丙醇溶液浓度为0.5～8mg/mL，每2.25cm²的三维钙钛矿薄膜对应40～100μL F-PEAI的异丙醇溶液，F-PEAI的异丙醇溶液的旋涂速度为2000～6000r.p.m。