[发明专利]有机电致发光元件以及制造有机电致发光元件的方法在审

专利信息
申请号: 202011340127.X 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN112467045A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 市川朋芳 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 元件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光元件,包括:

凹陷结构,其中,第一电极设置在底部,且第一元件用作侧壁;

第二电极,被配置为覆盖所述凹陷结构的整个表面;以及

有机发光层,包含蒸发材料并夹在所述第二电极和所述凹陷结构之间,其中,

在所述有机发光层中,含有泄露材料的层的膜厚在所述凹陷结构的底部是不均匀的,并且所述有机发光层的整个膜厚在凹陷结构的底部是大致均匀的。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述含有泄露材料的层在凹陷结构的底部的周边部分处断开。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述含有泄露材料的层在凹陷结构的底部的周边部分和中心部分具有不同的膜厚。

4.根据权利要求3所述的有机电致发光元件,其中,

所述含有泄露材料的层的膜厚在周边部分比在凹陷结构的底部的中心部分处的膜厚更薄。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光元件,其中,

在假设在中心部分处的含有泄露材料的层的膜厚为La1、在周边部分处的含有泄露材料的层的膜厚为La2,并且

假设在中心部分处的有机发光层的整个膜厚为Lb1,并且在周边部分处的有机发光层的整个膜厚为Lb2的情况下,

所述有机发光层满足(La2/La1)(Lb2/Lb1)的关系。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述含有泄露材料的层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述有机发光层包括层叠的多个发光层,电荷产生层插入在所述多个发光层中,并且

所述含有泄露材料的层至少包括所述电荷产生层。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述第一电极设置在凹陷结构的底部的中心部分处,并且与凹陷结构的侧壁隔开。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其中,

所述第一电极设置在凹陷结构的底部的整个表面上。

10.根据权利要求1所述的有机电致发光元件,还包括:

第二元件,设置在第二电极上并填充凹陷结构,其中,

包括在凹陷结构的侧壁中的第一元件的折射率低于第二元件的折射率。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011340127.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top