[发明专利]具有可调整TSV延迟的存储器在审

专利信息
申请号: 202011340654.0 申请日: 2020-11-25
公开(公告)号: CN112927732A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: J·H·金特里;M·J·斯科特;G·S·加特林;L·H·马修斯;A·M·盖德勒;M·罗特;M·H·盖格;D·H·希斯科克;E·C·皮尔逊 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C5/06 分类号: G11C5/06;G11C11/409;G06F3/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 可调整 tsv 延迟 存储器
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

多个存储器管芯;

硅通孔TSV,其经配置以向所述多个存储器管芯中的每一存储器管芯发送信号并且从中接收信号;以及

电路,其耦合到所述TSV并且经配置以在所述多个存储器管芯中的一或多个存储器管芯上将传播延迟引入到传输到和接收自所述TSV的所述信号上。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述电路包括一或多个门延迟元件、一或多个电阻器、一或多个电容器或其任意组合。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述信号包括时钟信号、命令信号、地址信号、数据信号或其任意组合。

4.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括附加电路,所述附加电路经配置以激活、去激活或调整所述电路或其任意组合,以改变所述传播延迟。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述附加电路经配置以使用所述设备的测试模式来激活、去激活或调整所述电路。

6.根据权利要求4所述的设备,其进一步包括对应于所述一或多个存储器管芯,或对应于所述多个存储器管芯,或其任意组合的熔丝阵列。

7.根据权利要求6所述的设备,其中所述附加电路经配置以使用所述熔丝阵列来激活、去激活或调整所述电路。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器管芯中的每一存储器管芯包括耦合到所述TSV并且经配置以引入传播延迟的电路。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器管芯中的两个或两个以上存储器管芯共享耦合到所述TSV的所述电路。

10.根据权利要求1所述的设备,其中:

所述TSV是第一TSV;

所述设备进一步包括第二TSV;以及

所述电路耦合到所述第一TSV和所述第二TSV两者,并且经配置以将传播延迟引入到传输到和接收自所述第一TSV的信号上以及传输到和接收自所述第二TSV的信号上。

11.一种方法,其包括:

确定通过硅通孔TSV发送到或接收自存储器管芯的信号或其任意组合的内部时序不同于通过所述TSV发送到或接收自其它存储器管芯的信号或其任意组合的内部时序;以及

调整电路,其对应于所述存储器管芯以调整施加到通过所述TSV发送到或接收自所述存储器管芯的信号或其任意组合的传播延迟。

12.根据权利要求11所述的方法,其中:

所述确定包含确定通过所述TSV发送到或接收自所述存储器管芯的信号或其任意组合的所述内部时序快于通过所述TSV发送到或接收自所述其它存储器管芯的信号或其任意组合的所述内部时序;以及

所述调整包含激活或调整对应于所述存储器管芯的所述电路的至少一部分,使得增加通过所述TSV放置到发送到或接收自所述存储器管芯的所述信号或其任意组合上的所述传播延迟。

13.根据权利要求11所述的方法,其中:

所述确定包含确定通过所述TSV发送到或接收自所述存储器管芯的信号或其任意组合的所述内部时序慢于通过所述TSV发送到或接收自所述其它存储器管芯的信号或其任意组合的所述内部时序;以及

所述调整包含去激活或调整对应于所述存储器管芯的所述电路的至少一部分,使得减小通过所述TSV放置到发送到或接收自所述存储器管芯的信号或其任意组合上的所述传播延迟。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述调整包含将对应于所述存储器管芯的熔丝阵列的反熔丝元件转换到其导电状态。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述调整包含进入所述存储器管芯或包含所述存储器管芯的存储器装置或其任意组合的测试模式。

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