[发明专利]高精度4-20mA电流信号采集电路在审

专利信息
申请号: 202011341449.6 申请日: 2020-11-25
公开(公告)号: CN112526203A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 夏朋浩;张兴堂;孙振涛;马文豪;吴彬;卓庆坤;凌云志;汪高武;邓超;曹力 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一六研究所
主分类号: G01R19/25 分类号: G01R19/25
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱炳斐
地址: 222001 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高精度 20 ma 电流 信号 采集 电路
【权利要求书】:

1.一种高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述电路包括:

防反接模块,用于防止信号反接;

电流旁路模块,用于接收所述防反接模块输出的电流信号且转化为对应的电压信号,并在判断到该电压信号超过预设电压阈值时,控制电流的分流,保护后端电路;

信号采集模块,用于采集上述电压信号;

补偿和校正模块,用于对所述电压信号进行补偿和校正。

2.根据权利要求1所述的高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述防反接模块包括第一PMOS管(Q1)、二极管(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2),所述第一PMOS管(Q1)的漏极D连接电流输入端,源极S连接第二电阻(R2)的一端,栅极G通过第一电阻(R1)连接电流输出端;所述二极管(D1)的负极连接第一PMOS管(Q1)的源极S,正极连接第一PMOS管(Q1)的栅极G。

3.根据权利要求2所述的高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述电流旁路模块包括第三电阻(R3)、运算放大器(U1)、第二MOS管(Q2)和电压基准源VREF;所述第三电阻(R3)的两端分别连接第二电阻(R2)的另一端和所述电流输出端;所述运算放大器(U1)的反向输入端连接第三电阻(R3)和第二电阻(R2)的公共端,正向输入端连接电压基准源VREF,输出端连接第二MOS管(Q2)的栅极G,第二MOS管(Q2)的漏极D和源极S分别连接运算放大器(U1)的反向输入端和所述电流输出端;所述第三电阻(R3)接收所述防反接模块输出的电流信号并将其转化为对应的电压信号,运算放大器(U1)实时监测所述电压信号并与预设阈值电压进行比较,若电压信号超过预设电压阈值,则立即打开第二MOS管(Q2),让电流从第二MOS管(Q2)流过,对流经第三电阻(R3)的电流进行分流,降低第三电阻(R3)处的电压。

4.根据权利要求3所述的高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述信号采集模块包括ADC信号采集电路,用于采集所述第三电阻(R3)上的电压信号。

5.根据权利要求4所述的高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述防反接模块、电流旁路模块存在漏电流,需要通过补偿和校正模块对漏电流进行补偿,补偿公式为:

IIN=IQ+IR3

式中,IQ为信号采集模块采集的漏电流对应的数字量,IR3为信号采集模块采集的经过第三电阻(R3)的电流对应的数字量,IIN为信号采集模块采集的补偿后的输入电流对应的数字量。

6.根据权利要求5所述的高精度4-20mA电流信号采集电路,其特征在于,所述补偿和校正模块包括一个增益寄存器和一个失调寄存器,用于实现电压信号校正,校正方式为:增益寄存器与数字量IIN相乘后再与失调寄存器相加,获得校正后的电压信号,校正公式为:

式中,ADCjz为校正后的电压信号,M为增益校正参数,C为失调校正参数。

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