[发明专利]一种提高全芯片擦除速度的方法

说明书

本申请公开了一种提高全芯片擦除速度的方法，涉及计算机技术领域，所述芯片包括至少两个存储区域、每个存储区域所对应的读写通路组以及用于控制各个读写通路组的控制电路；其中：所述控制电路用于在接收到芯片擦除指令时，控制每个存储区域所对应的读写通路组对所述存储区域进行预编程。解决了现有技术中由于预编程时间较长而导致的芯片擦除时间较长的问题，达到了可以通过并行预编程来减少预编程时间进而提高芯片擦除速度的效果。

技术领域

本发明涉及一种提高全芯片擦除速度的方法，属于计算机技术领域。

背景技术

NOR闪存(NOR Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。由于其断电时仍能保存数据，NOR闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(Basic Input Output System，基本输入输出程序)、PDA(Personal Digital Assistant，个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

NOR Flash在做全芯片擦除操作时，通常先将全部的存储区域做预编程操作，然后再进行剩余的擦除操作。在做预编程时，通常从零地址开始，对存储区域做预编程操作，直到最后一个地址。此种方法在大容量存储器中，然而由于存储阵列大，需要花费较多的时间用于预编程操作，从而影响整体的全芯片擦除时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高全芯片擦除速度的方法，用于解决现有技术中存在的问题。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

根据第一方面，本发明实施例提供了一种芯片，所述芯片包括至少两个存储区域、每个存储区域所对应的读写通路组以及用于控制各个读写通路组的控制电路；其中：

所述控制电路用于在接收到芯片擦除指令时，控制每个存储区域所对应的读写通路组对所述存储区域进行预编程。

可选的，每个读写通路组包括编程开关、电流到电压转换电路和灵敏放大电路，所述编程开关与所述电流到电压转换电路连接，所述电流到电压转换电路还与所述灵敏放大电路相连。

第二方面，提供了一种提高全芯片擦除速度的方法，所述方法用于第一方面所述的芯片中，所述方法包括：

接收芯片擦除指令；

在接收到所述芯片擦除指令之后，通过每个存储区域所对应的读写通路组对所述各个存储区域并行进行预编程操作；

对每个预编程操作进行预编程校验；

在校验通过后，对所述各个存储区域中存储的信息进行擦除。

可选的，所述方法还包括：

在所述各个存储区域中存在预编程校验未通过的存储区域时，通过所述存储区域所对应的读写通路组对所述存储区域再次进行预编程操作，直至校验通过。

可选的，所述对每个预编程操作进行预编程校验，包括：

通过串行方式对所述各个存储区域的预编程操作进行预编程校验。

可选的，所述方法还包括：

在通过每个存储区域所对应的读写通路组对所述各个存储区域并行进行预编程操作时，提高电荷泵的瞬间工作频率。

可选的，所述提高电荷泵的瞬间工作频率，包括：

提高所述电荷泵中的内部振荡器的工作频率。

第三方面，提供了一种芯片擦除装置，所述装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条程序指令，所述处理器通过加载并执行所述至少一条程序指令以实现如第二方面所述的方法。