[发明专利]一种低翘曲多晶硅片

说明书

本发明公开了一种低翘曲多晶硅片，包括以下各组份按重量份制备而成：高纯石英120‑140份，焦炭100‑115份，硫酸70‑90份；氯化氢50‑65份，氢气40‑55份。与其它处理工艺相比，工艺成熟，通过将高纯多晶硅置于离心打磨筒内，通过离心打磨筒的自转带动高纯多晶硅进行旋转，离心打磨筒内壁设置有打磨砂，通过高纯多晶硅紧贴筒体内壁进行旋转，继而对高纯多晶硅进行细微打磨，降低多晶硅的翘曲度，提高多晶产品质量。

技术领域

本发明涉及多晶工艺生产技术，更具体地说，尤其涉及一种低翘曲多晶硅片。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。其利用价值从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料等。

现有配方制备的多晶硅在完全生产高纯多晶硅制品后，由于其翘曲度过高，导致产品在具体应用时会带来一系列的困扰。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种低翘曲多晶硅片，工艺成熟，通过将高纯多晶硅置于离心打磨筒内，通过离心打磨筒的自转带动高纯多晶硅进行旋转，离心打磨筒内壁设置有打磨砂，通过高纯多晶硅紧贴筒体内壁进行旋转，继而对高纯多晶硅进行细微打磨，降低多晶硅的翘曲度，提高多晶产品质量。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种低翘曲多晶硅片，包括以下各组份按重量份制备而成：高纯石英120-140份，焦炭100-115份，硫酸70-90份；氯化氢50-65份，氢气40-55份，包括具体制备步骤如下：

S1、选取材料：选用高纯石英120份，焦炭100份，硫酸70份；氯化氢50份，氢气40份；

S2、高温还原：将选取的高纯石英以及对应的焦炭原料投入到硅矿热炉,通过高温加热使得高纯石英与焦炭产生还原反应，生成工业硅；

S3、酸洗：将硅矿热炉中还原生成的工业硅投入反应釜A内部，反应釜内部装有硫酸溶液，对反应釜A内部原料进行缓慢的混合搅拌，使得工业硅与硫酸进行充分反应，利用硫酸溶液去除工业硅表面上的氧化杂质，得到硅粉；

S4、混合反应：将反应釜A中所得到的酸洗后的硅粉投入反应釜B中，反应釜B内部装有氯化氢溶液，通过对反应釜B内原料进行搅拌，氯化氢与硅粉反应得到化合物三氯氢硅；

S5、粗馏精馏：通过使用过滤棉网对三氯氢硅进行初步过滤，完成固液分离，再通过加热蒸馏，利用回流使液体混合物得到高纯度分离，得到高纯度三氯氢硅；

S6、CVD工艺：通过氢气在高纯度三氯氢硅圆晶表面反应，在表面上以薄膜形式产生固态产品，其他副产品直接挥发，得到高纯多晶硅；

S7、离心打磨：将高纯多晶硅置于离心打磨筒内，通过离心打磨筒的自转带动高纯多晶硅进行旋转，离心打磨筒内壁设置有打磨砂，通过高纯多晶硅紧贴筒体内壁进行旋转，继而对高纯多晶硅进行细微打磨，降低多晶硅的翘曲度。

优选的，所述高纯石英以及焦炭的还原温度高于1800℃。

优选的，所述反应釜A的搅拌时间为30min。

优选的，所述反应釜B的搅拌时间为35min。

优选的，所述离心打磨筒动力输入端与电机动力输出端相连接。

本发明的技术效果和优点：