[发明专利]一种LC复合式MEMS压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011341915.0 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112683427B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李维平;管武干;兰之康 | 申请（专利权）人： | 南京高华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lc 复合 mems 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述LC复合式MEMS压力传感器包括：
堆叠的第一衬底和第二衬底；
压力敏感膜，设置在所述第一衬底的上表面；
第一凹槽，设置在所述第一衬底的下表面，与所述压力敏感膜相对；
LC敏感体，设置在所述压力敏感膜的下表面，位于所述第一凹槽中；
第二凹槽，设置在所述第二衬底的上表面，与所述第一凹槽形成真空腔；
第三凹槽，环绕并间隔所述第二凹槽设置在所述第二衬底的下表面；
电感线圈层，设置在所述第三凹槽的底表面及远离所述第二凹槽的一侧侧壁；
第一电极和第二电极，分别设置在所述第三凹槽邻近所述第二凹槽的侧壁及所述第二衬底的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，还包括介于所述第三凹槽表面和所述电感线圈层之间的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述LC敏感体的高度大于或等于所述第一凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述LC敏感体的高度小于所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度之和。
5.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述第二凹槽的截面尺寸大于所述LC敏感体的截面尺寸。
6.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述第三凹槽对称设置在所述第二凹槽的两侧。
7.根据权利要求1所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述电感线圈层包括若干根间隔设置的电感线。
8.根据权利要求1或7所述的一种LC复合式MEMS压力传感器，其特征在于，所述第三凹槽的侧壁与所述第二凹槽的侧壁相交叠。
9.一种LC复合式MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选择第一衬底，刻蚀所述第一衬底的下表面，形成第一凹槽及压力敏感膜；
在所述压力敏感膜的下表面安装LC敏感体；
选择第二衬底，刻蚀所述第二衬底的上表面，形成第二凹槽；
刻蚀所述第二衬底的下表面，形成分布在所述第二凹槽两侧的第三凹槽；
在所述第三凹槽的表面制备电感线圈层、第一电极、第二电极，
其中，所述第一电极和所述第二电极，分别设置在所述第三凹槽邻近所述第二凹槽的侧壁及所述第二衬底的下表面；
键合所述第一衬底和所述第二衬底，所述第一凹槽和所述第二凹槽形成真空腔。
10.根据权利要求9所述的一种LC复合式MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，所述制备电感线圈层还包括预先在所述第三凹槽的表面制备绝缘层。
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