[发明专利]一种低功耗、高直流偏置磁芯及其应用有效
| 申请号： | 202011343359.0 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112509792B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 白国华;李忠;张雪峰;严密 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F27/255 | 分类号： | H01F27/255;H01F27/34;H01F41/02 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 直流 偏置 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗、高直流偏置磁芯，其特征在于，包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒的尺寸小于其超顺磁临界尺寸；所述磁性纳米颗粒为铁镍纳米颗粒，非磁性绝缘基体为氧化钛；
其中，低功耗、高直流偏置磁芯的制备过程包括：
(1)磁性纳米颗粒的制备：采用直流电弧等离子体法合成铁镍纳米颗粒，颗粒直径为8纳米；
(2)非磁性相包覆：采用钛酸丁酯水解法在铁镍纳米颗粒表面均匀包覆一层氧化钛，厚度2纳米；
(3)固结：将上述包覆了氧化钛的铁镍纳米颗粒在800℃下热压烧结，得到磁芯；
其中，铁镍纳米颗粒在磁芯中的体积分数为65％；
磁芯的电阻率为0.8×104μΩ·cm，磁导率为200，在100mT条件下的直流偏置性能为80％，在500KHz、150mT条件下损耗为220KW/m3，在1MHz、10mT条件下低于300KW/m3，在3MHz、50mT条件下低于210KW/m3，在10MHz、5mT条件下低于38KW/m3。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗、高直流偏置磁芯，其特征在于，所述磁芯为棒形、长方体形、罐形、环形、管形、PM形、PQ形、E形、T形、U形中的一种。
3.如权利要求1-2任一项所述的低功耗、高直流磁芯的应用，其特征在于，用于变压器、电感器、滤波器、电抗器、互感器中的一种。
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