[发明专利]一种多通道光信道监测系统及其制作方法有效
申请号: | 202011343715.9 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112543054B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 闫志君;宋青果;孙琪真 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H04B10/079 | 分类号: | H04B10/079;H04J14/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通道 信道 监测 系统 及其 制作方法 | ||
1.一种多通道光信道监测系统,其特征在于,包括:从上到下依次分布的SiO2包层(1)、导光层(2)、SiO2基底(3)、面阵CCD探测器(4);其中,面阵CCD探测器(4)连接信号处理模块(7);
所述导光层(2)由N个掺锗Si通道(5)构成;每个掺锗Si通道(5)上刻有倾斜光栅(6);所述倾斜光栅与光路垂直的截面形成0-45度夹角;
每列掺锗Si通道(5)与面阵CCD探测器(4)的对应列像素点位于同一平面上;
所述SiO2基底(3)的上侧为平面,下侧为柱面;所述面阵CCD探测器与所述SiO2基底距离为SiO2基底所呈柱透镜对应的焦距;
所述SiO2包层,用于将光路限制在导光层中传输;所述导光层,用于通过各个掺锗Si通道(5)将光路传输到倾斜光栅(6),从而将不同波长的光衍射到SiO2基底(3)中;所述SiO2基底(3),用于将不同波长的衍射光聚焦到面阵CCD探测器(4)的不同像素点上;所述面阵CCD探测器(4)中的每一列像素点,用于实现对应列掺锗Si通道(5)的信道监测;所述信号处理模块(7),用于将所述面阵CCD探测器(4)探测到的信号提取为不同通道的光谱信号。
2.根据权利要求1所述的一种多通道光信道监测系统,其特征在于,相邻掺锗Si通道的间隙填充有SiO2材料。
3.根据权利要求1所述的一种多通道光信道监测系统,其特征在于,信号处理模块对面阵CCD探测器中同一列像素点对应的不同波长处的光强响应进行光谱补偿,完成不同波长信道的监测。
4.根据权利要求3所述的一种多通道光信道监测系统,其特征在于,面阵CCD探测器采用InGaAs面阵探测器。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种多通道光信道监测系统,其特征在于,所述多通道光信道监测系统最大可监测的信道数目C满足以下公式:
C=M×N
其中,N为掺锗Si通道的数目,M为每个掺锗Si通道中不同波长信道的数目。
6.根据权利要求5所述的一种多通道光信道监测系统,其特征在于,所述多通道光信道监测系统光谱分辨率满足以下公式:
其中,δλ为光谱分辨率,λ为入射光波长,f为SiO2基底所呈柱透镜的焦距,D为倾斜光栅的长度,d为SiO2基底的高度,Λ为倾斜光栅的周期,n为掺锗Si通道的折射率。
7.一种权利要求1-6任一项所述多通道光信道监测系统的制作方法,其特征在于,包括:
S1.在上侧为平面,下侧为柱面的SiO2基底上侧沉积一层掺锗Si材料,得到第一沉积层;
S2.在第一沉积层上刻蚀N个掺锗Si通道,得到导光层;
S3.在导光层上侧沉积SiO2材料得到SiO2包层;
S4.采用激光掩膜法或双光束干涉法在导光层上刻写倾斜光栅;所述倾斜光栅与光路垂直的截面形成0-45度夹角。
8.根据权利要求7所述的一种多通道光信道监测系统的制作方法,其特征在于,采用激光掩膜法在导光层上刻写倾斜光栅,具体包括:
激光经过光束准直扩束后,平行入射进入45度反射镜,经反射后透过柱透镜形成聚焦光斑,入射到相位掩膜板上形成干涉区域;
将SiO2包层一侧贴近相位掩膜板,并将相位掩膜板与SiO2包层、导光层和SiO2基底共同旋转0~45度;
控制电位移平台,使SiO2包层、导光层和SiO2基底在与电位移平台垂直方向上移动,每次移动距离为相邻掺锗Si通道的距离,总共移动N次,移动时激光器关闭,移动完成后激光器开启,导光层在干涉区域中实现折射率调制,最终实现倾斜光栅的刻写。
9.根据权利要求7所述的一种多通道光信道监测系统的制作方法,其特征在于,采用双光束干涉法在导光层上刻写倾斜光栅,具体包括:
激光器发出激光,平行入射进入45度反射镜,之后由旋转可调光栅对分束器实现光束分束,分束后的两束光经过反射透镜组后在导光层发生干涉;
控制电位移平台,使SiO2包层、导光层和SiO2基底在与电位移平台垂直方向上移动,每次移动距离为相邻掺锗Si通道的距离,总共移动N次,移动时激光器关闭,移动完成后激光器开启,导光层在干涉区域中实现折射率调制,最终实现倾斜光栅的刻写。
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