[发明专利]一种电子废弃物中锡选择性分离同步制备纳米二氧化锡的方法

权利要求书

1.一种电子废弃物中锡选择性分离同步制备纳米二氧化锡的方法，其特征在于：

将含锡电子废弃物与添加剂混匀后，置于弱氧化性气氛下在825~950℃进行氧化焙烧，焙烧挥发物进入强氧化性气氛中在500~700℃进行氧化焙烧，得到纳米二氧化锡粉体；所述添加剂由二氧化锡、惰性氧化铝和二氧化硅按质量比1:(25~40):(30~50)组成；所述添加剂的质量占含锡电子废弃物与添加剂总质量的5.0~10.0%；其中，在弱氧化性气氛下进行氧化焙烧过程中，控制弱氧化气氛为二氧化碳和氮气混合气氛，其中，二氧化碳体积百分比浓度为2~5%，气体流速为0.1~0.3m/s；在强氧化性气氛下进行氧化焙烧过程中，控制强氧化性气氛为氧气、二氧化碳和氮气混合气氛，其中，氧气和二氧化碳的体积百分比浓度分别为5~10vol.%和1~2vol.%，气体流速为0.2~0.5m/s。

2.根据权利要求1所述的一种电子废弃物中锡选择性分离同步制备纳米二氧化锡的方法，其特征在于：所述含锡电子废弃物经过真空热解法或机械破碎分离法预处理，其锡质量百分比含量高于7.0%，有机质质量百分比含量低于0.5%。

3.根据权利要求1所述的一种电子废弃物中锡选择性分离同步制备纳米二氧化锡的方法，其特征在于：在弱氧化性气氛下进行氧化焙烧的时间为60~120min。