[发明专利]一种缓启动电路有效
申请号: | 202011344112.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112467971B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 霍文超;李飞;姚欣 | 申请(专利权)人: | 河南嘉晨智能控制股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M1/34;H02M1/08 |
代理公司: | 成都佳划信知识产权代理有限公司 51266 | 代理人: | 楚鸿艳 |
地址: | 450016 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 启动 电路 | ||
本发明公开了一种缓启动电路,应用于各类电源及热插拔应用场景。该电路包括电容CE1、旁路开关MOS管Q2以及旁路开关控制电路;所述旁路开关控制电路用于当所述电容CE1两端的电压与输入电压Vin的压差下降至一定阈值时控制所述旁路开关Q2闭合以减小开关吸合时的浪涌电流。本发明提供缓启动电路结构简单,元器件少、制作成本低。
技术领域
本发明涉及电子设备的上电启动/插拔过程中电路保护领域,具体涉及一种用于在电子设备上电启动/插拔时避免其内部电路被浪涌损坏的缓启动电路。
背景技术
对于包含大容量储能电容的电路系统在上电或插拔时,系统会产生很大的浪涌电流,通常解决该问题的办法有两种。
第一种方法是在设备供电支路中串接NTC电阻(负温度系数电阻)。该电阻在冷态时电阻大、此时接入电路中流过的电流很小,当电流流过NTC电阻一定时间后会使电阻发热,温度升高后电阻值减小、电流增大,当电流增大到一定程度时电子设备才完成启动。
第二种方法是在设备供电支路中增加MOS管缓启电路来实现设备上电缓启和断电快速泄放。例如、申请号为CN201820885872、发明名称为“一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路的制作方法”的专利文件中提出了一种针对于低输入电压电路的软启动电路。该电路如图1所示,在上电时,控制器的信号通过Vin-EN输入,稳压器U1电路进行预上电输出3.3V电压使得Vout输出3.3V电压。电阻R6与电容C6组成RC延时电路,在延时完成后,MOS管Q2导通使得Q1导通,Q3关闭,输出Vout升至3.8V,在进行断电时,U2停止工作,Q1在D1的作用下快速关断,Q2关断、Q3导通进行放电。
第一种方法是电源中普遍采用的缓启方法,但是采用该方法时、温度上升后NTC失去抑制浪涌的能力,必须等NTC温度降下来才能重新起到抑制浪涌的作用。第二种方法电路比较复杂、涉及器件较多、成本较高。并且由于延迟启动时需要对电容进行预充电,但当电容容值较大时,缓启动时间会大大加长,导致开机延迟时间拉长。
发明内容
本发明提供一种结构简单、元器件少的低成本缓启动电路,应用于电子设备的上电启动/插拔过程,抑制产生的浪涌电流,避免损坏电子设备。
本发明提供的缓启动电路,具体实现为:
一种缓启动电路,包括电容CE1、旁路开关MOS管Q2以及旁路开关控制电路;所述旁路开关控制电路用于当所述电容CE1两端的电压与输入电压Vin的压差下降至一定阈值时控制所述旁路开关Q2闭合以减小开关吸合时的浪涌电流,并且在输入电压Vin的掉电初期控制所述MOS管Q2快速断开。
进一步地、所述缓启动电路还包括电阻R1-R6、电压检测器U1,三极管Q1以及稳压管ZD1;其中、所述电容CE1并联在所述缓启动电路的正向输出端Vout+、负向输出端Vout-之间。电阻R6的一端连接所述负向输入端vin-和MOS管Q2的源极,另一端连接所述负向输出端Vout-和MOS管Q2的漏极。所述旁路开关控制电路由电阻R1-R5、电压检测器U1,三极管Q1以及稳压管组成;其中、电阻R4、R5串联后并接在MOS管Q2的源极、漏极之间,电阻R4的一端连接MOS管Q2的源极、另一端连接三极管Q1的基极,Q1的集电极通过电阻R3连接设备正向输出端Vout+、其射极连接所述负向输入端vin-以及稳压管ZD1的阳极、稳压管ZD1的阴极接MOS管Q2的栅极;电阻R1、R2串联后并接所述缓启动电路的正向输入端Vin+和负向输入端vin-之间,所述正向输入端Vin+和所述正向输出端Vout+为同一个端子,电阻R1和R2的连接端接电压检测器U1的电压检测端VDD,电压检测器U1的接地端接所述负向输入端vin-、电压检测器U1的输出端VOUT接三极管Q1的集电极、以及MOS管Q2的栅极,当所述电压检测端VDD的电压低于预设阈值时,所述电压检测器U1的输出端VOUT输出低电平关断所述MOS管Q2。
附图说明
图1为现有技术中的一种MOS管缓启电路的电路原理图;
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