[发明专利]一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法有效
申请号: | 202011345025.7 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112331613B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 李邦盛;晋玺;杨尧;梁玉鑫 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 超声 压力 复合 工艺 液态 金属 快速 填充 tsv 方法 | ||
1.一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至 TSV 的方法,其特征在于该方法按以下步骤实现:
一、将带有 TSV 的硅片(15)固定在密封室内的样品夹具(8)中,超声装置的钛工具头(6)下端与带有 TSV 的硅片(15)的距离为 1cm; 所述的带有 TSV 的硅片(15)微盲孔的孔径范围为 80-300μm, 孔深为 200-500μm;
二、在密封室的坩埚(11)中放入金属,然后对密封室进行抽真空处理,真空度为小于 5×10-3Pa,利用钼加热带(10)对坩埚(11)进行加热,加热至 360℃,待金属熔化成液态金属(12)后,将带有 TSV 的硅片下降到液态金属(12)液面上方 1-2cm进行烘烤1-2min;
三、将烘烤结束的带有 TSV 的硅片(15)下移至液态金属(12)中,超声装置的钛工具头(6)同时下降并浸入液态金属(12)中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入 Ar 气至密封室内气体压力为 0.8atm,液态金属(12)在气压及超声的复合作用下填充至 TSV中,填充过程完毕将带有 TSV 的硅片(15)移出液态金属(12),待冷却后即完成;
其中所述液态金属为Pb90Sn10合金;
其中密封室分为升降室(1)和填充室(2),升降室(1)位于填充室(2)上方,并与 填充室(2)连通;升降室(1)内竖直设置滚珠丝杠(3),滚珠丝杠(3)上设有滑块(4),升降室(1)内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块(4)与导轨滑动连接;密封室内还设有 超声装置,超声装置由超声波变幅杆(5)和钛工具头(6)组成,超声波变幅杆(5)顶端与滑块(4)固定连接,底端固定连接钛工具头(6);超声波变幅杆(5)上固定设置样品固定杆(7),样品固定杆(7)底端设有样品夹具(8);
金属加热装置固定在填充室(2)底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏(9)、钼加热带(10)和坩埚(11)组成,钼加热带(10)缠绕在坩埚(11)外壁,钼隔热屏(9)包覆钼加热带(10)和坩埚(11);
填充室(2)上还设有观察窗(13)和照明灯(14)。
2.根据权利要求 1 所述的一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至 TSV的方法,其特征在于步骤三中施加的超声频率为 20KHz,超声功率为 100-2000W。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造