[发明专利]一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一、将电荷存储聚合物溶解后配制成聚合物溶液，按照半导体材料的添加量是聚合物材料的万分之一至万分之五，将所述半导体材料添加至所述聚合物溶液中超声分散均匀后，得到复合溶液；

步骤二、将复合溶液涂敷在基底上，将基底放于马弗炉中烘烤，烘烤温度为80℃到400℃，烘烤至溶剂全部挥发完毕，冷却后揭膜得到复合膜备用；

步骤三、将得到的复合膜极化处理得到高分子电荷存储聚合物基纳米复合材料，

其中，所述半导体材料选自纳米氧化铁，纳米二氧化钛、纳米氧化钨、纳米氧化锌、纳米碳酸锶、纳米硫化钼或钨酸铋，所述电荷存储聚合物选自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚偏氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺或聚甲基丙烯酸甲酯。

2.根据权利要求1所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述半导体材料的能带位置窄于驻极体材料的能带位置。

3.根据权利要求1所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，电荷存储聚合物溶解的溶剂选自二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、丙酮、甲乙酮、苯、氯苯、醋酸乙酯或N-N二甲基甲酰胺。

4.根据权利要求3所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤一中，聚合物溶液中电荷存储聚合物材料的固含量为5％-20％。

5.根据权利要求1所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述基底选自玻璃、聚四氟乙烯、钢板或培养皿。

6.根据权利要求1所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤二中，涂覆采用流延法或旋涂法。

7.根据权利要求1所述的电荷存储聚合物基复合材料的制备方法，所述极化处理包括热极化法、电晕充电法、电击穿充电法、电子束辐照充电法、液体接触充电法、穿透辐照充电法。