[发明专利]一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法

权利要求书

1.一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，所述防护材料由树脂侨联层和功能金属层交替堆叠而成，最外层为功能金属层，所述树脂侨联层和功能金属层交替堆叠10～30个循环，所述树脂侨联层单层厚度为50μm～100μm，功能金属层单层厚度为30μm～50μm，所述功能金属层为稀土金属层，所述稀土金属为铈、钆、铒中的一种或几种的混合；

所述防护材料的制备方法按以下步骤进行：

一、制备树脂侨联层：将环氧树脂加热至熔融状态，然后加入促进剂和聚醚酰亚胺，在搅拌状态下使混合均匀，得到环氧树脂稀释液，对得到的环氧树脂稀释液进行超声处理，超声处理后静置，然后将静置后的环氧树脂稀释液喷涂在电子元器件的管壳表面，然后进行分段固化，得到树脂侨联层；

二、制备功能金属层：采用磁控溅射技术，以稀土金属元素为靶材，氩气为保护气，背底真空度为4.5×10^-4Pa～5.5×10^-4Pa的条件下，在步骤一的树脂侨联层上镀覆功能金属层；

三、交替堆叠：交替重复步骤一和步骤二的操作，以步骤二的操作结束交替重复操作，使防护材料最外层为功能金属层，得到防护材料。

2.根据权利要求1所述的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，步骤一中将环氧树脂于70～90℃下加热至熔融状态，步骤一中所述环氧树脂与促进剂的质量比为10：(0.5～1)，步骤一中所述环氧树脂与聚醚酰亚胺的质量比为10：(1～2)，步骤一中所述促进剂为乙酰丙酮铝。

3.根据权利要求1所述的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述超声处理的超声功率为1000W～2000W，超声处理使的时间为10min～20min，超声处理后静置3min～5min。

4.根据权利要求1所述的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述喷涂的参数具体为：喷嘴直径为1mm～3mm，喷枪压力为0.6MPa～0.8Mpa，喷枪移动速度为50cm/s～100cm/s，喷距为10cm～20cm，步骤一中所述分段固化的过程具体为：于真空干燥箱中，先在温度为40～60℃下固化5h～6h，然后在温度为90～110℃下固化1h～3h，最后在温度为120～140℃下固化1h～3h。

5.根据权利要求1所述的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述磁控溅射的参数具体为：溅射功率为50W～120W，溅射时间为1h～3h，溅射压强为0.5Pa～1.5Pa。

6.根据权利要求1所述的一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料的制备方法，其特征在于，步骤二中所述靶材为铈靶、钆靶、铒靶中的一种或任意几种的组合，步骤二中所述靶材直径为40mm～60mm，步骤二中靶距为100mm～200mm，步骤二中所述氩气气体流量为10sccm～30sccm。