[发明专利]发光器件及其制作方法、背板及其制作方法

说明书

本发明涉及一种发光器件及其制作方法、背板及其制作方法，包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极；其中，第一半导体层包括第一区域和包围第一区域的第二区域；第一区域中的第一半导体层相对第二区域中的第一半导体层凸出；发光层和第二半导体层依次叠设于第一区域凸出一侧表面；第一电极设置于第二区域靠近发光层一侧表面，与第一区域的第一半导体层贴合；及第二电极设置于第二半导体层远离发光层一侧表面；避免了发光器件中第一电极与第二电极处于同一侧，提高了发光器件焊接良率；同时，在第二区域设置第一电极，使得第一电极的载流子扩散通道增大，提高了发光器件的量子效率，进而提升了发光器件发光亮度。

技术领域

本发明涉及发光芯片领域，尤其涉及发光器件及其制作方法、背板及其制作方法。

背景技术

目前，发光器件的制程上，需要制备一定的电极结构，由于电极不透光且电极会刻蚀掉部分发光层，导致发光器件发光的有效面积减小，因此电极制约着发光器件发光的有效面积；同时，发光器件面积较小，导致微发光二极管电极间距较小，在焊接过程中极易造成短路风险，发光器件焊接良率低限制了发光器件进一步微小化。

因此，如何在发光器件微小化要求上提高焊接良率是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供发光器件及其制作方法、背板及其制作方法，旨在解决发光器件面积较小，导致微发光二极管电极间距较小，在焊接过程中极易造成短路风险，发光器件焊接良率低限制了发光器件进一步微小化的问题。

一种发光器件，包括：第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极；其中，所述第一半导体层包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域；所述第一区域中的第一半导体层相对所述第二区域中的第一半导体层凸出；所述发光层和所述第二半导体层依次叠设于所述第一区域凸出一侧表面；所述第一电极设置于所述第二区域靠近所述发光层一侧表面，与所述第一区域的第一半导体层贴合；及所述第二电极设置于所述第二半导体层远离所述发光层一侧表面。

上述发光器件，通过在第二区域靠近发光层一侧表面设置第一电极，第一电极与第一区域的第一半导体层贴合，避免了蚀刻发光层从而在第一半导体层靠近发光层一侧设置第一电极，导致发光器件发光的有效面积减小的问题，减小了对发光层的蚀刻进而提高了发光器件发光的有效面积；同时，避免了发光器件中第一电极与第二电极处于同一侧，在焊接过程中极易造成短路风险的问题，提高了发光器件焊接良率；进一步地，在第一半导体层第二区域靠近发光层一侧表面设置第一电极，使得第一电极的载流子扩散通道增大，可以提高发光器件的量子效率，进而提升了发光器件发光亮度。

可选地，所述第一电极设置于所述第二区域靠近所述发光层一侧表面包括：

所述第一电极环绕设置于所述第二区域靠近所述发光层一侧表面；

或，

所述第一电极对称设置于所述第二区域靠近所述发光层一侧表面。

可选地，所述第一电极的厚度为1微米至3微米。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种如上所述的发光器件的制作方法，包括：提供一衬底；于所述衬底上依次生长形成第一半导体层、发光层、第二半导体层；对所述第二半导体层、发光层及第一半导体层进行图案化处理；其中，图案化处理后的所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；所述第一区域中的第一半导体层相对所述第二区域中的第一半导体层凸出；于所述第二区域靠近所述发光层一侧表面制作形成第一电极；于所述第二半导体层远离所述发光层一侧表面制作形成第二电极。