[发明专利]用于光声传感器的发射器封装件

权利要求书

1.一种用于光声传感器的发射器封装件(100)，所述发射器封装件(100)包括：

MEMS红外辐射源(11)，用于发射第一波长范围内的脉冲红外辐射，所述MEMS红外辐射源(11)被布置在基底(10)上，

刚性壁结构(12)，布置在所述基底(10)上并侧向围绕所述MEMS红外辐射源(11)的外周，

盖结构(13)，附接到所述刚性壁结构(12)，所述盖结构(13)包括滤波器结构(14)，用于对从所述MEMS红外辐射源(11)发出的红外辐射进行滤波并提供在减小的第二波长范围内的经滤波的红外辐射。

2.根据权利要求1所述的发射器封装件(100)，

其中所述刚性壁结构(12)包括液晶聚合物(LCP)或由液晶聚合物制成。

3.根据权利要求1或2所述的发射器封装件(100)，

其中所述盖结构(13)被安装在所述刚性壁结构(12)的与所述基底(10)相对的部分上，使得所述盖结构(13)和所述刚性壁结构(12)一起形成腔(31)，所述MEMS红外加热源(11)被布置在所述腔中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发射器封装件(100)，

其中所述刚性壁结构(12)对于所述从所述MEMS红外辐射源(11)发出的红外辐射(20)是非透明的。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的发射器封装件，

其中所述刚性壁结构(12)包括设置在顶壁部分(12f)上的凹陷结构(33)，所述顶壁部分背离所述基底(10)，并且所述盖结构(13)安装在所述凹陷结构(33)内。

6.根据权利要求5所述的发射器封装件(100)，

其中所述凹陷结构(33)包括支座结构(34)，用于防止盖附接粘合剂侧向向内流向所述MEMS红外辐射源(11)，其中所述顶壁部分(12e)与所述支座结构(34)之间的距离(d₁)小于所述顶壁部分(12e)与所述凹陷结构(33)的底部部分(35)之间的距离(d₂)。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的发射器封装件(100)。

其中所述盖结构(13)包括盖基底(13a)，

其中所述滤波器结构(14)被设置在所述盖基底(13a)的面向所述MEMS红外辐射源(11)的第一侧上，和/或

其中抗反射涂层(15)被设置在所述盖基底(13a)的背离所述MEMS红外辐射源(11)的相对的第二侧上。

8.根据权利要求7所述的发射器封装件(100)，

其中所述盖基底(13a)包括硅或由硅制成。

9.根据权利要求7或8所述的发射器封装件(100)，

其中所述滤波器结构(14)部分覆盖所述盖基底(13a)的第一侧，使得所述盖结构的侧向外周部分(55)未被覆盖，其中所述盖结构(13)至少在所述未覆盖圆周部分(55)处被附接到所述刚性壁结构(12)。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的发射器封装件(100)，

其中所述盖结构(13)包括重叠部分(58)，所述滤波器结构(14)在所述重叠部分处与所述刚性壁结构(12)侧向重叠，并且其中所述盖结构(13)利用所述盖结构的未覆盖部分(55)中的至少一个未覆盖部分并且在所述盖结构的重叠部分(58)处被附接到所述刚性壁结构(12)。

11.根据权利要求10所述的发射器封装件(100)，

其中所述重叠部分(58)包括100μm或更小的侧向延伸部分(O₁)，所述滤波器结构(14)与所述刚性壁结构(12)在所述侧向延伸部分处侧向重叠。