[发明专利]一种新型氢化物气相外延压力控制系统及方法

权利要求书

1.一种新型氢化物气相外延压力控制系统，其特征在于，包括：反应室，与反应室连接的流量控制通路和微调气路；所述流量控制通路上依次设有真空泵和调节阀；所述微调气路上设有质量流量控制器，微调气路用于通入惰性气体，在质量流量控制器的调节下实现对反应室压力的精确控制。

2.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与调节阀和质量流量控制器连接，用于控制调节阀和质量流量控制器。

3.如权利要求2所述的压力控制系统，其特征在于，所述反应室内设置压力传感器，通过压力传感器将实时的压力信号传输至控制器。

4.如权利要求2所述的压力控制系统，其特征在于，所述控制器分别与蝶阀电动执行机构、质量流量控制器、电磁阀和压力传感器连接；所述蝶阀电动执行机构与蝶阀连接，用于控制蝶阀的动作。

5.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，所述流量控制通路上依次设有真空泵、气动阀和蝶阀，蝶阀的一端与反应室连接。

6.如权利要求4所述的压力控制系统，其特征在于，所述微调气路的一端接入流量控制通路位于蝶阀和反应室之间的区域。

7.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，所述微调气路上依次设有质量流量控制器、气动阀、电磁阀、单向阀和截止阀。

8.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，所述调节阀为蝶阀。

9.如权利要求1所述的压力控制系统，其特征在于，所述控制器为PLC控制器。

10.一种新型氢化物气相外延压力控制系统的使用方法，其特征在于，包括：

氢化物气相外延技术生长GaN衬底材料前，通过控制调节阀的开度，控制流量通路气路管道，在真空泵作用下对反应室进行抽真空处理；

反应室生长GaN衬底材料时，保持真空泵的抽速和调节阀的开度不变，此时开启微调气路，通过控制微调气路的质量流量控制器调节反应室内压力。