[发明专利]在片多参数测量装置

权利要求书

1.一种在片多参数测量装置，其特征在于，所述在片多参数测量装置至少包括：

毫米波测试系统，合路器，探针台及BDC组件；

所述合路器的两个输入端分别连接所述毫米波测试系统的两个测试输出端，输出端连接所述探针台的输入端，将多频段的测试信号施加至所述探针台；

所述探针台的输出端连接所述BDC组件的射频输入端；

所述BDC组件的射频输出端连接所述毫米波测试系统的测试输入端，噪声输出端连接所述毫米波测试系统的噪声输入端，并从所述毫米波测试系统获取参考信号及控制信号；所述BDC组件通过开关切换使实现在片多参数测量。

2.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述在片多参数测量装置还包括校准件，所述校准件在测试前与所述毫米波测试系统连接，以实现对所述毫米波测试系统的校准。

3.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述在片多参数测量装置还包括功率计，所述功率计在测试前与所述毫米波测试系统连接，以实现对所述毫米波测试系统的输出功率进行校准。

4.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述在片多参数测量装置包括线性参数测试以及非线性参数测试，所述线性参数包括S参数、增益、噪声系数、谐波抑制、相位、通断隔离度中至少一个参数，所述非线性参数包括三阶交调点、饱和输出电平中至少一个参数。

5.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述探针台包括手动探针台、半自动探针台或全自动探针台。

6.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述探针台为带温控系统的探针台。

7.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述参考信号的频率设置为10MHz。

8.根据权利要求1所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述在片多参数测量装置应用于HF波段至THz波段。

9.根据权利要求1所述的片多参数测量装置，其特征在于：所述片多参数测量装置覆盖的射频信号的频率设置为50GHz以上。

10.根据权利要求1～9任意一项所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述BDC组件包括第一高频宽带开关、低噪声放大器、本振信号产生单元、乘法器以及变频器；

所述第一高频宽带开关的第一端作为所述BDC组件的射频输入端，第二端作为所述BDC组件的射频输出端，第三端连接所述低噪声放大器的输入端，并基于所述毫米波测试系统输出的切换控制信号将所述BDC组件的射频输入端连接至射频输出端或所述低噪声放大器的输入端；

所述低噪声放大器接收所述第一高频宽带开关的输出信号，并进行放大；

所述本振信号产生单元基于所述毫米波测试系统输出的参考信号选择内置本振信号源或外接本振信号源作为本振信号；

所述乘法器连接所述本振信号产生单元的输出端，对所述本振信号进行乘法运算；

所述变频器连接所述低噪声放大器及所述乘法器的输出端，对所述低噪声放大器及所述乘法器的输出信号进行混频并输出噪声信号。

11.根据权利要求10所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述本振信号产生单元包括参考信号检波比较电路、振荡器及第二高频宽带开关；

所述参考信号检波比较电路接收所述毫米波测试系统输出的参考信号，将所述参考信号与一基准信号进行比较，并输出比较结果；

所述振荡器接收所述毫米波测试系统输出的参考信号，并将所述参考信号作为基准源产生内置本振信号源；

所述第二高频宽带开关连接所述参考信号检波比较电路及所述振荡器的输出端，并接收外接本振信号源，基于所述比较结果自动切换选择所述内置本振信号源或所述外接本振信号源作为本振信号。

12.根据权利要求10所述的在片多参数测量装置，其特征在于：所述BDC组件还包括环形器、低通滤波器、本振基波滤波器及本振滤波器；所述环形器连接于所述第一高频宽带开关与所述低噪声放大器之间；所述低通滤波器连接于所述变频器的输出端；所述本振基波滤波器连接于所述本振信号产生单元与所述乘法器之间；所述本振滤波器连接于所述乘法器与所述变频器之间。