[发明专利]一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层；

所述量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜，所述量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，所述核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；

所述有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物包括甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种。

2.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点为II-Ⅵ族化合物构成的核壳结构材料，具体包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的任意一种化合物；

所述量子点溶液中的量子点为III-V族化合物或IV-VI族化合物构成的核壳结构材料，具体包括PbS/ZnS、PbSe/ZnS中的任意一种化合物。

3.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述介电层包括聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种。

4.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点和有机绝缘聚合物质量之和占所述量子点发光层总质量的0.1%~10%，所述量子点发光层的厚度为1~200nm。

5.根据权利要求1中所述的交流驱动型量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点溶液中的溶剂包括正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种，所述有机绝缘聚合物溶液中的溶剂包括丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。

6.一种如权利要求1~5中任一所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，其步骤包括：

于阳极基板上沉积介电层；

于所述介电层上依次沉积空穴注入层和空穴传输层；

制备量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液，混合后涂布于所述空穴传输层上形成量子点发光层；

于所述量子点发光层上依次沉积电子传输层和金属阴极层，得到交流驱动型量子点发光二极管。

7.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述于阳极基板上沉积介电层的步骤前还包括阳极基板预处理步骤，所述阳极基板预处理步骤具体包括：将所述阳极基板依次经丙酮、去离子水和无水乙醇超声清洗后干燥，并于沉积所述介电层之前进行紫外-臭氧处理。

8.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述介电层的介电常数为0.1~500，其厚度为0.1~500nm；

所述介电层包括聚偏氟乙烯及其共聚物中的任意一种。

9.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点为核壳结构材料，所述核壳结构材料由II-Ⅵ族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物中的任意一种构成；

所述量子点溶液中的溶剂为正己烷、正辛烷、乙醇、丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种；

所述有机绝缘聚合物溶液中的有机绝缘聚合物为甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯砒咯烷酮、聚氧化乙烯中的任意一种或多种；

所述有机绝缘聚合物溶液中的溶剂为丙酮、甲苯和氯仿中的任意一种。

10.根据权利要求6中所述交流驱动型量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层包括PEDOT:PSS薄膜、MoO₃薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；

所述空穴传输层包括PVK薄膜、TFB薄膜、Poly-TPD薄膜中的任意一种，其厚度为0.1~200nm；

所述电子传输层为ZnO纳米颗粒薄膜或掺镁ZnO纳米颗粒薄膜，其厚度为1~200nm；

所述金属阴极层为低功函数金属材料，包括Al、Ag、Mg、Ca中的任意一种或多种，其厚度为1~500nm。