[发明专利]一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；

通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；

将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜；所述通过等离子体对硒醚类化合物进行解离包括：

加热硒醚类化合物形成硒醚类化合物蒸汽；

通过辅助放电气体在射频作用下产生等离子体解离所述硒醚类化合物蒸汽，形成解离后的硒醚类化合物；所述过渡金属前驱体包括：环戊二烯类过渡金属前驱体、β-二酮类过渡金属前驱体、脒类过渡金属前驱体、胺类过渡金属前驱体、烷基类过渡金属前驱体、醇类过渡金属前驱体、羧酸类过渡金属前驱体中的一种或多种；所述过渡金属包括：铁、钴、镍、锰、铜、锌、钒、钛、钯、钼、钨、铂、铼中的一种或多种；所述硒醚类化合物包括：二乙基二硒醚、二烷基硒醚、二烷基二硒醚、二苯基硒醚、二苯基二硒醚、二苄基硒醚、二苄基二硒醚中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中之前，还包括：

将所述衬底进行清洗；

对衬底表面进行预处理；

其中，所述预处理包括：等离子体预处理、紫外灯照射预处理、加热退火预处理中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中具体包括：

加热所述过渡金属前驱体形成过渡金属前驱体蒸汽；

通过载气将所述过渡金属前驱体蒸汽输送到所述衬底的预定区域。

4.根据权利要求1所述的过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，在将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中之前，还包括：清除所述过渡金属前驱体层上方区域残留的副产物和/或过量的过渡金属前驱体。

5.根据权利要求1所述的过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述辅助放电气体为氮气、氢气、氩气中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的过渡金属二硒化物薄膜的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜之后，还包括：将所述过渡金属二硒化物薄膜重复交替暴露在过渡金属前驱体的氛围中和解离后的硒醚类化合物的氛围中，得到预定厚度的过渡金属二硒化物薄膜。